Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal photodetectors on SOI-substrates

Thumbnail Image

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Helsinki University of Technology | Master's thesis
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Location:
P1 Ark S80

Authors

Date

1999

Department

Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto

Major/Subject

Elektronifysiikka

Mcode

S-69

Degree programme

Language

en

Pages

52

Series

Abstract

Diplomityössä tarkastellaan metalli-puolijohde-metalli-rakenteeseen perustuvia nopeita valoilmaisimia (MSM-PD). Ensin tarkastellaan valoilmaisimen teoriaa: Schottky-liitoksen muodostumista ja ominaisuuksia ja virrankuljetusta ilmaisimessa. Tämän jälkeen käsitellään ilmaisimen vastinpiiriä. Ilmaisimen metallisormirakenteesta aiheutuvalle kapasitanssille ja resistanssille esitetään lausekkeet. Käsitellään myös ilmaisimen toimintaan vaikuttavia parametrejä: nopeutta, taajuusvastetta, kvanttihyötysuhdetta ja vastetta. Ilmaisimia on valmistettu eri substraateille, tavalliselle piille ja SOI-substraateille. Käydään läpi valmistustekniikka ja eri prosessointivaiheet kuvataan tarkemmin. Käsitellään lyhyesti substraattimateriaalit. Ilmaisimille on tehty mittauksia, joiden antamien tulosten avulla komponenttien toimintaa analysoidaan. Mittaukset sisältävät valovirta-, kapasitanssi-, spektrivaste- ja nopeusmittauksen.

Description

Supervisor

Kuivalainen, Pekka

Keywords

photodetector, valoilmaisin, Schottky-contact, Schottky-liitos, MSM-PD, MSM-PD, SOI, SOI, Si, Si

Other note

Citation

Permanent link to this item

https://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-2020120446105

Collections

[dipl] Teknillinen korkeakoulu / TKK