Properties of a silicon infrared source

dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorTalvitie, Hannu
dc.contributor.authorKorhonen, Jukka
dc.contributor.departmentSähkö- ja tietoliikennetekniikan osastofi
dc.contributor.schoolTeknillinen korkeakoulufi
dc.contributor.schoolHelsinki University of Technologyen
dc.contributor.supervisorTuomi, Turkka
dc.date.accessioned2020-12-03T23:43:45Z
dc.date.available2020-12-03T23:43:45Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractTyössä on tutkittu piille valmistetun termisen infrapunasäteilijän, ns. mikrohehkun, ominaisuuksia. Mikrohehkun suunniteltu käyttötarkoitus on käyttö optisissa kaasupitoisuuden mittauksissa valonlähteenä. Erityisesti on selvitetty kaasupitoisuuden mittausten kannalta tärkeitä ominaisuuksia, kuten pitkän ajan stabiilisuutta ja elinikää. Mikrohehku koostuu puolijohdetekniikan prosessointimenetelmin piialustalle valmistetusta monikerroksisesta ohutkalvorakenteesta. Toiminnallisesti mikrohehku on lämpösäteilijä, joka emittoi valoa Planckin säteilylain mukaisesti. Ympäristöstään termisesti eristetyn filamenttialueen ohuiden johdinten läpi johdetaan sähkövirtaa, jolloin filamenttialue lämpenee voimakkaasti. Lämpimän pinnan emissiviteettiä parannetaan sopivilla materiaaleilla ja kalvopaksuuksilla toteutetulla taitekerroinsovituksella. Mikrohehkun rakenne, toimintaperiaate ja yleiset ominaisuudet kuvataan. Tutkittuja komponentteja verrataan optisissa kaasupitoisuuden mittauksissa nykyisin käytettävään hehkulamppuun sekä julkaisuissa esiteltyihin muihin lämpösäteilijöihin. Stabiilisuusominaisuudet ja elinikäennuste esitellään. Jatkokehitystä varten esitetään joitakin parannusehdotuksia. Mikrohehku vaikuttaa tutkimuksen perusteella lupaavalta komponentilta optisiin kaasupitoisuuden mittauksiin.fi
dc.format.extent52
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/87394
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-2020120446232
dc.language.isofien
dc.programme.majorOptoelektroniikkafi
dc.programme.mcodeS-104fi
dc.rights.accesslevelclosedAccess
dc.subject.keywordoptical gas oncentration measurementen
dc.subject.keywordoptinen kaasupitoisuuden mittausfi
dc.subject.keywordinfrareden
dc.subject.keywordinfrapunafi
dc.subject.keywordthermal emitteren
dc.subject.keywordlämpötäteilijäfi
dc.subject.keywordmicrolampen
dc.subject.keywordmikrohehkufi
dc.subject.keywordemissivityen
dc.subject.keywordemissiviteettifi
dc.titleProperties of a silicon infrared sourceen
dc.titlePiille valmistetun infrapunalähteen ominaisuudetfi
dc.type.okmG2 Pro gradu, diplomityö
dc.type.ontasotMaster's thesisen
dc.type.ontasotPro gradu -tutkielmafi
dc.type.publicationmasterThesis
local.aalto.digiauthask
local.aalto.digifolderAalto_35491
local.aalto.idinssi14847
local.aalto.inssilocationP1 Ark S80
local.aalto.openaccessno

Files