Properties of a silicon infrared source
| dc.contributor | Aalto-yliopisto | fi |
| dc.contributor | Aalto University | en |
| dc.contributor.advisor | Talvitie, Hannu | |
| dc.contributor.author | Korhonen, Jukka | |
| dc.contributor.department | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto | fi |
| dc.contributor.school | Teknillinen korkeakoulu | fi |
| dc.contributor.school | Helsinki University of Technology | en |
| dc.contributor.supervisor | Tuomi, Turkka | |
| dc.date.accessioned | 2020-12-03T23:43:45Z | |
| dc.date.available | 2020-12-03T23:43:45Z | |
| dc.date.issued | 1999 | |
| dc.description.abstract | Työssä on tutkittu piille valmistetun termisen infrapunasäteilijän, ns. mikrohehkun, ominaisuuksia. Mikrohehkun suunniteltu käyttötarkoitus on käyttö optisissa kaasupitoisuuden mittauksissa valonlähteenä. Erityisesti on selvitetty kaasupitoisuuden mittausten kannalta tärkeitä ominaisuuksia, kuten pitkän ajan stabiilisuutta ja elinikää. Mikrohehku koostuu puolijohdetekniikan prosessointimenetelmin piialustalle valmistetusta monikerroksisesta ohutkalvorakenteesta. Toiminnallisesti mikrohehku on lämpösäteilijä, joka emittoi valoa Planckin säteilylain mukaisesti. Ympäristöstään termisesti eristetyn filamenttialueen ohuiden johdinten läpi johdetaan sähkövirtaa, jolloin filamenttialue lämpenee voimakkaasti. Lämpimän pinnan emissiviteettiä parannetaan sopivilla materiaaleilla ja kalvopaksuuksilla toteutetulla taitekerroinsovituksella. Mikrohehkun rakenne, toimintaperiaate ja yleiset ominaisuudet kuvataan. Tutkittuja komponentteja verrataan optisissa kaasupitoisuuden mittauksissa nykyisin käytettävään hehkulamppuun sekä julkaisuissa esiteltyihin muihin lämpösäteilijöihin. Stabiilisuusominaisuudet ja elinikäennuste esitellään. Jatkokehitystä varten esitetään joitakin parannusehdotuksia. Mikrohehku vaikuttaa tutkimuksen perusteella lupaavalta komponentilta optisiin kaasupitoisuuden mittauksiin. | fi |
| dc.format.extent | 52 | |
| dc.identifier.uri | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/87394 | |
| dc.identifier.urn | URN:NBN:fi:aalto-2020120446232 | |
| dc.language.iso | fi | en |
| dc.programme.major | Optoelektroniikka | fi |
| dc.programme.mcode | S-104 | fi |
| dc.rights.accesslevel | closedAccess | |
| dc.subject.keyword | optical gas oncentration measurement | en |
| dc.subject.keyword | optinen kaasupitoisuuden mittaus | fi |
| dc.subject.keyword | infrared | en |
| dc.subject.keyword | infrapuna | fi |
| dc.subject.keyword | thermal emitter | en |
| dc.subject.keyword | lämpötäteilijä | fi |
| dc.subject.keyword | microlamp | en |
| dc.subject.keyword | mikrohehku | fi |
| dc.subject.keyword | emissivity | en |
| dc.subject.keyword | emissiviteetti | fi |
| dc.title | Properties of a silicon infrared source | en |
| dc.title | Piille valmistetun infrapunalähteen ominaisuudet | fi |
| dc.type.okm | G2 Pro gradu, diplomityö | |
| dc.type.ontasot | Master's thesis | en |
| dc.type.ontasot | Pro gradu -tutkielma | fi |
| dc.type.publication | masterThesis | |
| local.aalto.digiauth | ask | |
| local.aalto.digifolder | Aalto_35491 | |
| local.aalto.idinssi | 14847 | |
| local.aalto.inssilocation | P1 Ark S80 | |
| local.aalto.openaccess | no |