Silicon Etching in Inductively Coupled Plasma for MEMS Structures

Thumbnail Image

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Helsinki University of Technology | Master's thesis
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Location:
P1 Ark S80

Authors

Date

2006

Department

Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto

Major/Subject

Elektronifysiikka

Mcode

S-69

Degree programme

Language

en

Pages

viii + 58

Series

Abstract

Tässä diplomityössä esitetään piin plasmaetsauksen periaatteet ja tekniikka. Työssä tutkittiin etsaustulokseen vaikuttavia tekijöitä ja niiden keskinäistä riippuvuutta, kun tavoitteena on suuren aspektisuhteen mikromekaanisten (MEMS) rakenteiden etsaus. Lisäksi esitellään plasmatekniikan perusteet, piimikromekaniikkaa, SOI (Silicon on Insulator) -tekniikkaa ja tyypillisiä MEMS-rakenteita. Kokeellinen työ suoritettiin STS:n ICP (Inductively Coupled Plasma) -etsauslaitteistolla. Tulokset koskevat etsausnopeutta, selektiivisyyttä, etsauksen tasaisuutta, saavutettavaa aspektisuhdetta ja etsattujen kuvioiden profiilia. Tärkeimmät muuttujat olivat kelan RF (Radio Frequency) teho, biasteho ja sen taajuus, etsauskammion prosessipaine, kaasujen virtausnopeudet sekä lämpötila. Työssä selvitettiin muuttujien vaikutus etsaustulokseen. Erikoisrakenteita varten kehitettiin useita pulssitukseen perustuvia etsausreseptejä. Reseptejä voidaan hyödyntää vakioresepteinä vastaaville rakenteille vastaavissa laitteistoissa.

Description

Supervisor

Kuivalainen, Pekka

Thesis advisor

Pekko, Panu

Keywords

ICP, piin syväetsaus, DRIE, plasmaprosessointi, MEMS, Bosch-prosessi, HARS, kamparakenteet, deep silicon etching, membraanit, plasma processing, Bosch process, comb structures, membranes

Other note

Citation

Permanent link to this item

https://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-2020120552926

Collections

[dipl] Teknillinen korkeakoulu / TKK