The effect of current injection geometry on current spreading in semiconductor LEDs

dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorOksanen, Jani
dc.contributor.authorKivisaari, Pyry
dc.contributor.schoolInformaatio- ja luonnontieteiden tiedekuntafi
dc.contributor.supervisorTulkki, Jukka
dc.date.accessioned2012-03-12T07:26:21Z
dc.date.available2012-03-12T07:26:21Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractDiplomityössä esitellään ledien toiminnan kuvauksessa käytettyjä fysikaalisia malleja sekä mallinnetaan kahden valitun ledirakenteen toimintaa numeerisesti. Mallit ratkaistaan käyttämällä hyväksi elementtimenetelmää. Mallinnettavat ledirakenteet perustuvat TFFC- ja TMJ-ledeihin, jotka on hiljattain esitelty tieteellisessä kirjallisuudessa tehokkaina valaistusledirakenteina. Diplomityössä käytetyt numeeriset mallit perustuvat Maxwellin yhtälöihin, Fermi-Dirac-statistiikkaan, puolijohteiden virrankuljetusyhtälöihin ja yleisiin rekombinaatiomalleihin. Työssä mallinnetaan nitridipuolijohteita, joissa esiintyy voimakkaita spontaaneja sekä pietsosähköisiä polarisaatiokenttiä, ja näiden kenttien vaikutus on huomioitu työssä käytetyissä malleissa. Työssä verrataan yllämainittuja ledirakenteita toisiinsa tutkimalla sähkövirran injektiota, ledien hyötysuhdetta, säteilevän valon tehoa sekä säteilevän valon taajuusjakaumaa. Työssä tutkitaan myös virranlevityskerroksen leveyden vaikutusta rakenteiden tehokkuuteen. Lisäksi tarkastellaan spontaanin ja pietsosähköisen polarisaation vaikutusta ledien toimintaan ja hyötysuhteeseen.fi
dc.description.abstractIn this thesis the physical models needed in simulating the operation of semiconductor LEDs are reviewed and used to numerically model the operation of two different LED structures. The numerical models are solved with the finite element method and the simulated structures are variations of the thin-film flip-chip and transverse multi-quantum well LEDs which are recently proposed structures for efficient white light generation. The numerical models used in this thesis are based on Maxwell's equations, Fermi-Dirac statistics, semiconductor current equations and basic recombination models. Modelled materials are nitride semiconductors which exhibit strong spontaneous and piezoelectric polarization fields, and these fields are also included in the models. The two above mentioned LED structures are compared with each other in terms of the current injection properties, overall efficiency, light output power and the frequency distribution of the generated light. The effect of the current injection layer width on the efficiency is studied as well. In addition, the effect of the spontaneous and piezoelectric polarization fields on the LED operation and efficiency is investigated.en
dc.format.extent[8] + 62
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/3321
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-201203131552
dc.language.isoenen
dc.programme.majorLaskennallinen tekniikkafi
dc.programme.mcodeS-114
dc.publisherAalto-yliopistofi
dc.publisherAalto Universityen
dc.rights.accesslevelopenAccess
dc.subject.keywordpuolijohdevalaistusfi
dc.subject.keywordleditfi
dc.subject.keywordnitridipuolijohteetfi
dc.subject.keywordTFFC-leditfi
dc.subject.keywordTJM-leditfi
dc.subject.keywordhyötysuhdefi
dc.subject.keywordnumeerinen mallinnusfi
dc.subject.keywordFEMfi
dc.subject.keywordsolid state lightingen
dc.subject.keywordlight-emitting diodesen
dc.subject.keywordnitride semiconductorsen
dc.subject.keywordthin-film flip-chip LEDsen
dc.subject.keywordtransverse multi-quantum well LEDsen
dc.subject.keywordefficiencyen
dc.subject.keywordnumerical modelingen
dc.subject.keywordFEMen
dc.titleThe effect of current injection geometry on current spreading in semiconductor LEDsen
dc.titleInjektiogeometrian vaikutus sähkövirran jakautumiseen puolijohdeledeissäfi
dc.typeG2 Pro gradu, diplomityöfi
dc.type.dcmitypetexten
dc.type.okmG2 Pro gradu, diplomityö
dc.type.ontasotDiplomityöfi
dc.type.ontasotMaster's thesisen
dc.type.publicationmasterThesis
local.aalto.digifolderAalto_89858
local.aalto.idinssi41363
local.aalto.inssiarchivenr873
local.aalto.inssilocationP1 Ark Aalto
local.aalto.openaccessyes

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
urn100357.pdf
Size:
987.68 KB
Format:
Adobe Portable Document Format