The effect of current injection geometry on current spreading in semiconductor LEDs

No Thumbnail Available
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Informaatio- ja luonnontieteiden tiedekunta | Master's thesis
Date
2010
Department
Major/Subject
Laskennallinen tekniikka
Mcode
S-114
Degree programme
Language
en
Pages
[8] + 62
Series
Abstract
Diplomityössä esitellään ledien toiminnan kuvauksessa käytettyjä fysikaalisia malleja sekä mallinnetaan kahden valitun ledirakenteen toimintaa numeerisesti. Mallit ratkaistaan käyttämällä hyväksi elementtimenetelmää. Mallinnettavat ledirakenteet perustuvat TFFC- ja TMJ-ledeihin, jotka on hiljattain esitelty tieteellisessä kirjallisuudessa tehokkaina valaistusledirakenteina. Diplomityössä käytetyt numeeriset mallit perustuvat Maxwellin yhtälöihin, Fermi-Dirac-statistiikkaan, puolijohteiden virrankuljetusyhtälöihin ja yleisiin rekombinaatiomalleihin. Työssä mallinnetaan nitridipuolijohteita, joissa esiintyy voimakkaita spontaaneja sekä pietsosähköisiä polarisaatiokenttiä, ja näiden kenttien vaikutus on huomioitu työssä käytetyissä malleissa. Työssä verrataan yllämainittuja ledirakenteita toisiinsa tutkimalla sähkövirran injektiota, ledien hyötysuhdetta, säteilevän valon tehoa sekä säteilevän valon taajuusjakaumaa. Työssä tutkitaan myös virranlevityskerroksen leveyden vaikutusta rakenteiden tehokkuuteen. Lisäksi tarkastellaan spontaanin ja pietsosähköisen polarisaation vaikutusta ledien toimintaan ja hyötysuhteeseen.

In this thesis the physical models needed in simulating the operation of semiconductor LEDs are reviewed and used to numerically model the operation of two different LED structures. The numerical models are solved with the finite element method and the simulated structures are variations of the thin-film flip-chip and transverse multi-quantum well LEDs which are recently proposed structures for efficient white light generation. The numerical models used in this thesis are based on Maxwell's equations, Fermi-Dirac statistics, semiconductor current equations and basic recombination models. Modelled materials are nitride semiconductors which exhibit strong spontaneous and piezoelectric polarization fields, and these fields are also included in the models. The two above mentioned LED structures are compared with each other in terms of the current injection properties, overall efficiency, light output power and the frequency distribution of the generated light. The effect of the current injection layer width on the efficiency is studied as well. In addition, the effect of the spontaneous and piezoelectric polarization fields on the LED operation and efficiency is investigated.
Description
Supervisor
Tulkki, Jukka
Thesis advisor
Oksanen, Jani
Keywords
puolijohdevalaistus, ledit, nitridipuolijohteet, TFFC-ledit, TJM-ledit, hyötysuhde, numeerinen mallinnus, FEM, solid state lighting, light-emitting diodes, nitride semiconductors, thin-film flip-chip LEDs, transverse multi-quantum well LEDs, efficiency, numerical modeling, FEM
Other note
Citation