Syväuraeristysrakenteiden prosessit ja niiden käyttö Silicon On Insulator -pohjaisissa komponenteissa

Thumbnail Image

Files

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Kemiantekniikan korkeakoulu | Bachelor's thesis
Electronic archive copy is available locally at the Harald Herlin Learning Centre. The staff of Aalto University has access to the electronic bachelor's theses by logging into Aaltodoc with their personal Aalto user ID. Read more about the availability of the bachelor's theses.
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.

Authors

Date

2024-05-05

Department

Major/Subject

Kemia ja materiaalitiede

Mcode

CHEM3049

Degree programme

Kemiantekniikan kandidaattiohjelma

Language

fi

Pages

33

Series

Abstract

Transistorien ollessa lähellä toisiaan voi tapahtua sähköistä häirintää transistorien välillä. Tätä häirintää vastaan tarvitaan sähköistä eristystä, jota syväuraeristys (DTI) pystyy tarjoamaan yhdessä Silicon On Insulator -piikiekkorakenteen (SOI) kanssa. DTI tuottaa eristystä vaakatasossa, kun taas SOI eristää pystysuunnassa substraatin puolelta. DTI:ssä ja SOI-kiekoissa eristys tuotetaan usein piidioksidilla SiO2 täytetyllä syväuralla ja haudatulla oksidi kerroksella (BOX). Tässä kirjallisuuskatsauksessa tutustutaan syväuran muodostukseen reaktiivisessa syväetsausmenetelmällä (DRIE), syvä uran täyttöön ja eristyksen karakterisointiin. Lopuksi tarkastellaan DTI- ja SOI-pohjaisten komponenttien sovelluksia.

As transistors get closer to each other, electrical disturbance may occur between them. To combat against electrical disturbance, electrical insulation is required which deep trench isolation (DTI) and Silicon On Insulator structure (SOI) can provide. DTI provides insulation horizontally while SOI insulates vertical isolation from the substrate side. In DTI and SOI structures isolation is often done by filling deep trenches with silicon dioxide and by the buried oxide layer (BOX). This thesis examines how deep trenches are formed using deep reactive ion etching (DRIE), how the trenches are refilled and how the insulation is characterized. Finally, we examine applications that are based on DTI and SOI structures.

Description

Supervisor

Kontturi, Eero

Thesis advisor

Franssila, Sami

Keywords

DTI, SOI, piikiekko, deep trench isolation, silicon on insulator, syväuraeristys

Other note

Citation

Permanent link to this item

https://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-202407305149

Collections

[kand] Kemian tekniikan korkeakoulu / CHEM