Solid-liquid interdiffusion bonding for MEMS device integration
Loading...
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
School of Electrical Engineering |
Doctoral thesis (article-based)
| Defence date: 2018-11-02
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Author
Date
2018
Major/Subject
Mcode
Degree programme
Language
en
Pages
80 + app. 68
Series
Aalto University publication series DOCTORAL DISSERTATIONS, 207/2018
Abstract
Microelectromechanical systems (MEMS) have been widely utilized in many developed applications including safety critical systems in automotive and aerospace. Several MEMS devices require controlled environment for operation and protection against volatile compounds i.e., hermetic sealing. Heretofore, this has been attained typically with anodic or glass-frit bonding methods. However, metal bonding offers several benefits compared to these, such as, possibility to combine easily hermetic sealing and creation of electrical interconnections, enhanced device performance and smaller footprint. Solid-liquid interdiffusion (SLID) bonding is one of the developed low bonding temperature methods, which is studied in this thesis by utilizing copper-tin, gold-tin and zinc-aluminum based metallurgical systems by investigating their thermodynamic-kinetic behavior as well as reliability performance. Interfacial reactions are explained based on the microstructural analysis and the mechanical reliability is evaluated with shear and tensile tests. In addition, bonds are subjected to different stresses by utilizing standard environmental tests, such as high temperature storage, thermal shock and mixed flow gas tests. This thesis presents SLID bonds having high mechanical strength and robustness in the environmental tests. The effect of voiding level in the Cu3Sn phase on the cracking propensity is reported, and the voiding level is observed to link to copper electroplating bath condition. Zinc-aluminum based alloys are examined as a cost-effective material system for metal bonding. Interfacial reactions between these alloys and common base metals are investigated and rapid intermetallic compound formation is observed in a soldering procedure that simulates a wafer bonding process. Furthermore, platinum-based contact metallization stacks are presented for Cu-Sn and Au-Sn bond metallizations. These contact metallizations are CMOS-compatible, and thus, applicable easily on e.g., MEMS device or application specific integrated circuit (ASIC) wafer in order to simplify the process integration and to increase the device performance. In high strength Au-Sn/Pt SLID bonds, the thermodynamic data is utilized to reason the rise of the re-melting temperature as a function of original platinum layer thickness. In addition, the difference in reliability performance is connected to failure mode analysis. In case of Cu-Sn/Pt bond, platinum is observed to participate into IMC formation reactions at Cu/Sn interface during soldering and to stabilize the high temperature hexagonal crystal structure of the Cu6Sn5 phase to room temperature. The thermodynamic data and reliability evaluation related to SLID bonding provided in this thesis can be directly utilized in electronics industry in 0- and higher-level integration design.Mikroelektromekaaniset systeemit (MEMS) ovat vakiintuneet monissa kehittyneissä sovelluksissa sisältäen turvallisuuskriittisiä järjestelmiä ajoneuvoissa sekä lento- ja avaruussovelluksissa. Useat MEMS-kojeet vaativat kontrolloiduin käyttöympäristön ja suojauksen haitallisia yhdisteitä vastaan ts. ilmatiiviin suljennan. Tähän asti tämä on saavutettu käyttämällä anodista tai lasisulateliitosmenetelmää. Metalliliittäminen tarjoaa kuitenkin monia hyötyjä näihin verrattuna, kuten mahdollisuuden yhdistää helposti ilmatiivissuljenta ja sähköisten liitosten muodostaminen, kasvanut suorituskyky sekä pienempi tarvittu pinta-ala. Yksi kehitetty matalan liitoslämpötilan menetelmä on sula-avusteinen diffuusioliittäminen (engl. solid-liquid interdiffusion SLID), jota on tutkittu tässä väitöstyössä käyttäen kupari-tina, kulta-tina ja sinkki-alumiini –pohjaisia metallurgisia järjestelmiä tutkimalla näiden termodynaamis-kineettistä käyttäytymistä ja luotettavuussuorituskykyä. Rajapintareaktiot on selitetty mikrorakenneanalyysiin perustuen ja mekaaninen luotettavuus on arvioitu käyttämällä leikkaus- ja vetotestejä. Lisäksi liitokset on altistettu eri rasituksille käyttämällä hyväksi standardeja ympäristötestejä, kuten paistotestiä, lämpöshokkitestiä ja monikaasutestiä. Tässä työssä esitetään lujia ja kuormitusta kestäviä SLID-liitoksia. Cu3Sn-faasin huokoisuusasteen vaikutus liitoksen säröytymisalttiuteen raportoidaan, ja havaitaan, että huokoisuusaste on yhteydessä kuparin sähkökemiallisessa kasvattamisessa käytetyn kylvyn tilaan. Kustannustehokkaita sinkki-alumiini –pohjaisia lejeerinkejä tutkitaan metalliliittämiseen. Näiden lejeerinkien ja yleisten alusmetallien välisiä rajapintareaktioita tutkitaan ja havaitaan nopea metallien välisten yhdisteiden muodostuminen kiekkoliittämistä simuloivassa juotosprosessissa. Lisäksi väitöstyössä esitetään platinapohjaisia kontaktimetallointeja kupari-tina ja kulta-tina liitosmetalloinneille. Nämä kontaktimetalloinnit ovat yhteensopivia transistorivalmistuslinjan kanssa, joten niitä voidaan käyttää helposti MEMS-kojekiekon tai ns. sovelluskohtaisella mikropiirikiekolla prosessi-integraation yksinkertaistamiseksi ja laitteen suorituskyvyn lisäämiseksi. Kulta-tina-platina SLID-liitoksen uudelleensulamislämpötilan nousu platinan paksuuden funktiona selitetään käyttäen hyväksi termodynaamista tietoa. Lisäksi liitosten luotettavuussuorituskykyerot yhdistetään vaurioanalyysiin. Kupari-tina-platina –liitoksessa platinan havaitaan osallistuvan kupari-tina –rajapinnalla tapahtuvaan metallien välisten yhdisteiden muodostumisreaktioihin juotosprosessissa ja vakauttavan Cu6Sn5-faasin korkean lämpötilan heksagonaalisen kiderakenteen huoneenlämpötilaan. Tässä väitöstyössä tuotettuja termodynaamisia tietoaineistoja ja luotettavuusanalyysejä voidaan käyttää suoraan ektroniikkateollisuudessa 0-tason sekä korkeamman tason liitosten suunnittelussa.Description
Supervising professor
Paulasto-Kröckel, Mervi, Prof., Aalto University, Department of Electrical Engineering and Automation, FinlandThesis advisor
Vuorinen, Vesa, Dr., Aalto University, Department of Electrical Engineering and Automation, FinlandKeywords
SLID, bonding, thermodynamics, reliability, testing, liittäminen, termodynamiikka, luotettavuus, testaus
Other note
Parts
-
[Publication 1]: Rautiainen, Antti; Xu, Hongbo; Österlund, Elmeri; Li, Jue; Vuorinen, Vesa; Paulasto-Kröckel, Mervi; 2015. Microstructural Characterization and Mechanical Performance of Wafer-Level SLID Bonded Au-Sn and Cu-Sn Seal Rings for MEMS Encapsulation. Springer US. Journal of Electronic Materials, volume 44, issue 11, pages 4533-4548. 0361-5235.
DOI: 10.1007/s11664-015-3929-8 View at publisher
-
[Publication 2]: Rautiainen, Antti; Vuorinen, Vesa; Paulasto-Kröckel, Mervi; 2017. Vertical cracking of Cu-Sn solid-liquid interdiffusion bond under thermal shock test. Materials Today: Proceedings, volume 4, issue 7, part 2, pages 7093-7100.
DOI: 10.1016/j.matpr.2017.08.002 View at publisher
-
[Publication 3]: Rautiainen, Antti; Vuorinen, Vesa; Paulasto-Kröckel, Mervi; 2017. Interfacial Reactions Between ZnAl(Ge) Solders on Cu and Ni Substrates. Springer US. Journal of Electronic Materials, volume 46, issue 4, pages 2323-2333. 0361-5235.
DOI: 10.1007/s11664-016-5272-0 View at publisher
-
[Publication 4]: Rautiainen, Antti; Vuorinen, Vesa; Heikkinen, Hannele; Paulasto-Kröckel, Mervi; 2018. Wafer-Level AuSn/Pt Solid-Liquid Interdiffusion Bonding. IEEE. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, volume 8, issue 2, pages 169-176. 2156-3950.
DOI: 10.1109/TCPMT.2017.2780102 View at publisher
-
[Publication 5]: Rautiainen, Antti; Ross, Glenn; Vuorinen, Vesa; Dong, Hongqun; Paulasto-Kröckel, Mervi. The effect of platinum contact metallization on Cu/Sn bonding. Springer US. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Volume 29, issue 17, pages 15212-15222.
DOI: 10.1007/s10854-018-9663-2 View at publisher
