Computational Study of the Anion Antisite Defect and its Metastability in III-V Semiconductors

Simple item page
dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorVirkkala, Ville 
dc.contributor.authorRasku, Topi 
dc.contributor.schoolPerustieteiden korkeakoulufi
dc.contributor.supervisorPuska, Martti 
dc.date.accessioned2013-08-30T06:25:14Z
dc.date.available2013-08-30T06:25:14Z
dc.date.issued2013-08-21 
dc.format.extent24 
dc.format.mimetypeapplication/pdfen
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/10935
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-201309027653
dc.language.isoenen
dc.programmeTeknillinen fysiikka ja matematiikka TFMfi
dc.programme.majorTeknillinen fysiikkafi
dc.programme.mcodeF3005fi
dc.subject.keywordsemiconductoren
dc.subject.keywordantisiteen
dc.subject.keyworddensity functional theoryen
dc.subject.keywordcomputationalen
dc.titleComputational Study of the Anion Antisite Defect and its Metastability in III-V Semiconductorsen
dc.typeG1 Kandidaatintyöfi
dc.type.dcmitypetexten
dc.type.ontasotBachelor's thesisen
dc.type.ontasotKandidaatintyöfi
Files
Collections
[kand] Perustieteiden korkeakoulu / SCI