High-Frequency Measurements on Single-Electron Transistors and Low-Noise RF-Preamplifier Operating at 1 Kelvin

dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorHakonen, Pertti J.
dc.contributor.advisorPaalanen, Mikko A.
dc.contributor.authorLähteenmäki, Sami
dc.contributor.departmentTeknillisen fysiikan ja matematiikan osastofi
dc.contributor.schoolTeknillinen korkeakoulufi
dc.contributor.schoolHelsinki University of Technologyen
dc.contributor.supervisorSalomaa, Martti M.
dc.date.accessioned2020-12-03T22:40:59Z
dc.date.available2020-12-03T22:40:59Z
dc.date.issued1998
dc.format.extent56
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/86225
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-2020120445063
dc.language.isoenen
dc.programme.majorMateriaalifysiikkafi
dc.programme.mcodeTfy-44fi
dc.rights.accesslevelclosedAccess
dc.titleHigh-Frequency Measurements on Single-Electron Transistors and Low-Noise RF-Preamplifier Operating at 1 Kelvinen
dc.titleYhden elektronin transistorien (SET) korkeataajuusmittauksia ja yhdessä kelvinissä toimiva pienikohinainen RF-esivahvistinfi
dc.type.okmG2 Pro gradu, diplomityö
dc.type.ontasotMaster's thesisen
dc.type.ontasotPro gradu -tutkielmafi
dc.type.publicationmasterThesis
local.aalto.digiauthask
local.aalto.digifolderAalto_41298
local.aalto.idinssi13542
local.aalto.openaccessno

Files