Temperature dependence of charge carrier lifetime in silicon

Simple item page
dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorYli-Koski, Marko 
dc.contributor.authorHolmberg, Heikki
dc.contributor.departmentSähkö- ja tietoliikennetekniikan osastofi
dc.contributor.schoolTeknillinen korkeakoulufi
dc.contributor.schoolHelsinki University of Technologyen
dc.contributor.supervisorSinkkonen, Juha 
dc.date.accessioned2020-12-04T15:15:51Z
dc.date.available2020-12-04T15:15:51Z
dc.date.issued2002 
dc.description.abstractDiplomityö käsittelee lämpötilariippuvaa varauksenkuljettajien elinaikamittausta ja sen sopivuutta epäpuhtauksien havaitsemiseen. Vähäinenkin määrä epäpuhtautta aiheuttaa elinaikaan muutoksen, joka on helppo havaita. Tutkimuksessa elinaikaa mitattiin µ-PCD (microwave photoconductive decay) mittausmenetelmällä. Mittausmenetelmän hyvänä puolena on kontaktittomuus, jonka ansiosta näyte ei tuhoudu mittauksen aikana. Lämpötilariippuvalla µ-PCD menetelmällä pystytään määrittämään epäpuhtauden energiatason paikka kielletyssä energiavälissä. Mittaus mahdollistaa epäpuhtauden tunnistamisen, koska jokaisella epäpuhtaudella on tarkasti määritelty paikka tai paikat kielletystä energiavyössä. Työssä esitellään myös elinaikaan vaikuttavien suureiden lämpötilariippuvuus. Mittaustulosten ja teorian vertaamisen helpottamiseksi tehtiin tietokoneohjelma Matlabilla. Ohjelma tekee mittaustulosten ja teorian vertaamisen helpoksi. Ohjelma mahdollistaa elinajan laskemisen lämpötilan funktiona erilaisten reunaehtojen vallitessa. Ohjelma laskee epäpuhtauden energiatason mittaustuloksista, jos reunaehdot ovat sopivat. Erikoisominaisuutena ohjelmassa on kyky määrittää elinajan lämpötilariippuvuus, kun epäpuhtaudella on kaksi rekombinaatiokeskusta. Diplomityössä esitellään uusi menetelmä, jonka avulla voidaan erikoistapauksessa määrittää lämpötila riippuva sieppauspinta-ala varauksenkuljettajille. Menetelmä perustuu siihen tosiasiaan, että Shockley-Hall-Read elinaika on vakio matalissa lämpötiloissa. Diplomityössä menetelmällä määritetään lämpötila riippuvan rauta-boori parin elektronien sieppauspinta-ala.fi
dc.format.extentix + 64 s. + liitt. 9 
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/90141
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-2020120448976
dc.language.isoenen
dc.programme.majorElektronifysiikkafi
dc.programme.mcodeS-69fi
dc.rights.accesslevelclosedAccess
dc.subject.keywordtemperature dependenceen
dc.subject.keywordlämpötilariippuvuusfi
dc.subject.keywordcharge carrier lifetimeen
dc.subject.keywordvarauksenkuljettajien elinaikafi
dc.subject.keywordcapture cross-section and iron-boron pairen
dc.subject.keywordsieppaus pinta-ala ja rauta-boori parifi
dc.titleTemperature dependence of charge carrier lifetime in siliconen
dc.titleVarauksenkuljettajien elinajan lämpötilariippuvuus piissäfi
dc.type.okmG2 Pro gradu, diplomityö 
dc.type.ontasotMaster's thesisen
dc.type.ontasotPro gradu -tutkielmafi
dc.type.publicationmasterThesis 
local.aalto.digiauthask
local.aalto.digifolderAalto_32014
local.aalto.idinssi19019
local.aalto.openaccessno
Files
Collections
[dipl] Teknillinen korkeakoulu / TKK