aalto1 untyped-item.component.html
Alumiinigalliumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä
Loading...
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Master's thesis
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Instructions for the author
Location:
Authors
Date
Department
Major/Subject
Mcode
S-104
Degree programme
Language
fi
Pages
64
Series
Abstract
Tämä diplomityö käsittelee alumiinigalliumnitridin epitaktista valmistusta galliumnitridikerroksen päälle.
Työ tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa.
AlGaN-kerrokset valmistettiin MOVPE-laitteistolla ja niiden ominaisuuksien tutkimiseen käytettiin MOVPE-laitteiston valmistuksenaikaista refiektometriä, röntgendiffraktometriä, atomivoimamikroskooppia ja fotoluminesenssimittalaitteistoa.
Kiteiden alumiinipitoisuuden todettiin olevan TMAl- ja TMGa -lähdeaineiden molaarista virtaussuhdetta alhaisempi.
Kiteen alumiinipitoisuuden arviointia ei voitu suorittaa ainoastaan molaaristen kaasuvirtausten suhteiden perusteella, koska muut valmistusparametrit vaikuttavat alumiinin osuuteen merkittävästi.
Lähdeaineiden V/III-suhteen suurentaminen johti kalvon alumiinipitoisuuden nousuun.
AlGaN-kerrosten kasvun todettiin olevan reaktiivisten ryhmän III aineiden määrän rajoittamaa V/III-suhdevälillä 1250 - 2750.
Korkeilla alumiiniosuuksilla kerroksissa havaittiin selviä halkeamia.
Halkeamia lukuun ottamatta V/III-suhteella ei todettu olevan vaikutusta kalvon pinnan morfologiaan.
Valmistuslämpötilan nostamisen todettiin hidastavan kalvojen kasvunopeutta lämpötilavälillä 940 - 1300 °C.
Kerroksen alumiinipitoisuus nousi valmistuslämpötilan noustessa.
Tasaisin pinnan morfologia saavutettiin l240°C:n lämpötilassa. 590 - 630 °C:n lämpötilassa AlGaN-kalvot kasvoivat saarekekasvuna.
Alumiinipitoisuuden noustessa kerrosten kidelaatu heikkeni merkittävästi.