Indiumfosfidin Stranski-Krastanow-kasvu organometallisessa kaasufaasiepitaksiassa
Loading...
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Diplomityö
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Authors
Date
2001
Department
Major/Subject
Optoelektroniikka
Mcode
S-104
Degree programme
Language
fi
Pages
vi + 63
Series
Abstract
Työssä valmistettiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa MOVPE-menetelmällä InP-puolijohdekerroksia GaAs(001)-alustakiteille eri valmistusparametreilla. Nimellisesti 0,3-2,8 ML paksujen InP-kerrosten muodostumista ja morfologiaa sekä itseorganisoituneita Stranski-Krastanow-saarekkeita tutkittiin atomivoimamikroskoopilla. Saarekkeiden itseorganisoituva kasvu on lupaava menetelmä yhdistepuolijohdekvanttipisteiden valmistamiseksi optisen tietoliikenteen komponentteihin. Mittaustulokset osoittavat, että InP-kastumiskerros muodostuu atomikerroksittain 2D-saarekkeista, joiden tiheys ja koko kasvavat peiton mukana ja jotka lopulta yhdistymällä muodostavat täyden atomikerroksen. Seuraava atomikerros alkaa muodostua vasta yhtenäisen atomikerroksen päälle. 2D-saarekkeiden tiheyden havaitaan olevan suoraan verrannollinen kasvunopeuteen ja kääntäen verrannollinen lämpötilasta eksponentiaalisesti riippuvaan diffuusiovakioon. As/P-vaihdon havaitaan vaikuttavan merkittävästi InP/GaAs-rajapinnan muodostumiseen yli 610 °C:n kasvulämpötiloissa. Vaihdon takia pienellä InP-peitolla näytteiden pinnalle muodostuu useita atomikerroksia syviä koloja tai nanometrien korkuisia saarekkeita. Stranski-Krastanow-transition kriittiseksi paksuudeksi InP-kerrokselle määritettiin 2,1-2,2 ML lämpötilassa 635 °C. Saarekkeiden maksimitiheys on noin 10[9] cm[-2], joka saavutetaan yli 2,6 ML:n InP-peitolla lämpötilassa 635 °C.Description
Supervisor
Lipsanen, HarriThesis advisor
Sopanen, MarkkuKeywords
Stranski-Krastanow growth, Stranski-Krastanow-kasvu, indium phosphide, indiumfosfidi, epitaxy, epitaksia, 2D island, 2D-saareke, 3D island, 3D-saareke, quantum dot, kvanttipiste, AFM, MOVPE