Deposition of aluminium, hafnium and zirkonium oxide thin films for gate oxide applications

dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorTuominen, Marko
dc.contributor.authorLaitinen, Otto
dc.contributor.departmentKemian tekniikan osastofi
dc.contributor.schoolTeknillinen korkeakoulufi
dc.contributor.schoolHelsinki University of Technologyen
dc.contributor.supervisorNiinistö, Lauri
dc.date.accessioned2020-12-04T15:10:48Z
dc.date.available2020-12-04T15:10:48Z
dc.date.issued2002
dc.format.extentviii + 102 s. + liitt. 8
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/90044
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-2020120448879
dc.language.isofien
dc.programme.majorEpäorgaaninen kemiafi
dc.programme.mcodeKem-35fi
dc.rights.accesslevelclosedAccess
dc.titleDeposition of aluminium, hafnium and zirkonium oxide thin films for gate oxide applicationsen
dc.titleAlumiini-, hafnium- ja zirkoniumoksidiohutkalvojen valmistus hilaoksidisovelluksiinfi
dc.type.okmG2 Pro gradu, diplomityö
dc.type.ontasotMaster's thesisen
dc.type.ontasotPro gradu -tutkielmafi
dc.type.publicationmasterThesis
local.aalto.digiauthask
local.aalto.digifolderAalto_16371
local.aalto.idinssi18899
local.aalto.openaccessno

Files