Modelling of Resonant Tunneling Diode: WKB-approximation for WaveFunctions
| dc.contributor | Aalto-yliopisto | fi |
| dc.contributor | Aalto University | en |
| dc.contributor.author | Martikka, Mikko | |
| dc.contributor.department | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto | fi |
| dc.contributor.school | Teknillinen korkeakoulu | fi |
| dc.contributor.school | Helsinki University of Technology | en |
| dc.contributor.supervisor | Sinkkonen, Juha | |
| dc.date.accessioned | 2020-12-03T20:28:28Z | |
| dc.date.available | 2020-12-03T20:28:28Z | |
| dc.date.issued | 1997 | |
| dc.description.abstract | Tämä diplomityö on tehty Teknillisen korkeakoulun elektronifysiikan laboratoriossa. Työ on välivaihe vallisovitettuun jakautumaan perustuvan simulaattorin kehittämisessä. Tässä työssä on johdettu malli resonanssitunnelidiodirakenteelle käyttäen siirtomatriisiformalismia, jossa matriisielementit on laskettu WKB-tyyppisistä aaltofunktioista. Monikertasironnalle on käytetty yksiparametrista optista potentiaalia. Aluksi työssä on esitelty aiheeseen liittyviä fysikaalisia peruskäsitteitä. Näiden jälkeen on esitelty WKB-approksimaatio. Monikertasirontaa varten on esitelty myös läheisesti WKB-approksimaatioon liittyvä n.s. eikonaalinen approksimaatio. Sironnan peruskäsitteistä lähtien on eikonaalisen approksimaation avulla johdettu monikertasironnalle efektiiviseen eli n.s. optiseen potentiaalin perustuva malli. Siinä monikertasironta vaimentaa koherenttia osaa aaltofunktiosta, mitä voidaan kuvata vapaa matkaparametrilla. Siirtomatriisiformalismia on sovellettu rakenteen läpäisy- ja heijastuskertoimien laskemiseen. Matriisielementit on laskettu käyttäen WKB-approksimaatiota. Lopuksi virran laskemista varten on otettu käyttöön vallisovitetun jakautuman menetelmä. siinä jakautumat toteuttavat samat relaatiot kuin aaltofunktioiden intensiteetit. Virrantiheydelle on esitelty e.m. menetelmillä saatu lauseke. | fi |
| dc.format.extent | 69 | |
| dc.identifier.uri | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/84895 | |
| dc.identifier.urn | URN:NBN:fi:aalto-2020120343733 | |
| dc.language.iso | fi | en |
| dc.programme.major | Elektronifysiikka | fi |
| dc.programme.mcode | S-69 | fi |
| dc.rights.accesslevel | closedAccess | |
| dc.title | Modelling of Resonant Tunneling Diode: WKB-approximation for WaveFunctions | en |
| dc.title | Resonanssitunnelidiodin mallintaminen WKB-tyyppisillä aaltofunktioilla | fi |
| dc.type.okm | G2 Pro gradu, diplomityö | |
| dc.type.ontasot | Master's thesis | en |
| dc.type.ontasot | Pro gradu -tutkielma | fi |
| dc.type.publication | masterThesis | |
| local.aalto.digiauth | ask | |
| local.aalto.digifolder | Aalto_41305 | |
| local.aalto.idinssi | 12070 | |
| local.aalto.openaccess | no |