NMOS Transistor Modeling At Radio Frequencies
No Thumbnail Available
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Diplomityö
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Instructions for the author
Authors
Date
1998
Department
Major/Subject
Piiritekniikka
Mcode
S-87
Degree programme
Language
en
Pages
64
Series
Abstract
Diplomityössä on tutkittu kahden (2) MOS mallin, MOS Model 9 ja BSIM3v3:n, tarkkuutta radiotaajuuksilla (RF) vertailemalla S-parametrien simulointeja mittaustuloksiin, kun transistorit on kytketty kaksiportiksi. Täydellinen joukko transistoreita MOSFET karakterisointiin valmistettiin VTT 0.8 mikrometrin BiC-MOS ja AMS 0.8 mikrometrin CMOS teknologialla. Molemmille teknologioille ja malleille tehtiin DC ja AC ekstraktointi käyttämällä APLAC-simulaattoria ja sen kuvauskielellä tehtyjä ohjelmia. AC ekstraktointi tehtiin sovittamalla S-parametrejä 300 MHz - 10 GHz:n taajuusalueella. MOS Model 9:n DC-malli osoittautui vähän tarkemmaksi, jolloin myös suurtaajuusominaisuudet - S-parametrien S_21 ja S_22 sovitukset - olivat jonkun verran paremmat kuin BSIM3v3:ssa. Siinä puolestaan AC malli oli parempi, joka kompensoi DC sovituksen tarkkuuden puutetta, sovittaen S-parametrit S_11 ja S_12 paremmin kuin MOS Model9 -malli. RF-ominaisuudet olivat kummallakin mallilla käytännössä yhtä hyvät.Description
Supervisor
Porra, VeikkoKeywords
modeling, MOS, radio frequency, MSOFET, CMOS, mallitus, radiotaajuus, RF, MOS Model 9, MOS9, BSIM3, BSIM3v3