Replacement of GTO-thyristor with IGBT in high power low voltage two-level-voltage-source-inverter

dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorKauhanen, Matti
dc.contributor.authorSuntila, Jari
dc.contributor.departmentSähkötekniikan osastofi
dc.contributor.schoolTeknillinen korkeakoulufi
dc.contributor.schoolHelsinki University of Technologyen
dc.contributor.supervisorMård, Matti
dc.date.accessioned2020-12-03T19:20:43Z
dc.date.available2020-12-03T19:20:43Z
dc.date.issued1995
dc.format.extent59
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/83669
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-2020120342507
dc.language.isofien
dc.programme.majorSähkökäyttö ja tehoelektroniikkafi
dc.programme.mcodeS-81fi
dc.rights.accesslevelclosedAccess
dc.titleReplacement of GTO-thyristor with IGBT in high power low voltage two-level-voltage-source-inverteren
dc.titleGTO-tyristorin korvaaminen IGBT:llä pienijänniatteisessä suuritehoisessa jännitevälipiirillä varustetussa kaksitasoinvertterissäfi
dc.type.okmG2 Pro gradu, diplomityö
dc.type.ontasotMaster's thesisen
dc.type.ontasotPro gradu -tutkielmafi
dc.type.publicationmasterThesis
local.aalto.digiauthask
local.aalto.digifolderAalto_36232
local.aalto.idinssi10732
local.aalto.openaccessno
Files