Hafniumoksidin atomikerroskasvatus ja fysikaaliset ominaisuudet

Simple item page
dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorBosund, Markus 
dc.contributor.authorMäkinen, Joonas 
dc.contributor.schoolElektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekuntafi
dc.contributor.supervisorTurunen, Markus 
dc.date.accessioned2012-12-20T08:33:09Z
dc.date.available2012-12-20T08:33:09Z
dc.date.issued2009 
dc.format.extent29 s. 
dc.format.mimetypeapplication/pdf 
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/6896
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-201305166355
dc.language.isofien
dc.programmeElektroniikan ja sähkötekniikan tutkinto-ohjelma (EST)fi
dc.programme.majorSähköfysiikkafi
dc.programme.mcodeS3014 
dc.subject.keywordALDfi
dc.subject.keywordatomikerroskasvatusfi
dc.subject.keywordhafniumoksidifi
dc.subject.keywordHfO2fi
dc.subject.keywordtaitekerroinfi
dc.subject.keywordläpilyöntikenttäfi
dc.titleHafniumoksidin atomikerroskasvatus ja fysikaaliset ominaisuudetfi
dc.titleThe growth of hafnium oxide by atomic layer deposition and the physical propertiesen
dc.typeG1 Kandidaatintyöfi
dc.type.dcmitypetexten
dc.type.ontasotKandidaatintyöfi
dc.type.ontasotBachelor's thesisen
Files
Collections
[kand] Sähkötekniikan korkeakoulu / ELEC