aalto1 untyped-item.component.html
GaInNAs-kvanttipisteiden fotoluminesenssi
Loading...
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Master's thesis
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Instructions for the author
Location:
Authors
Date
Department
Major/Subject
Mcode
S-104
Degree programme
Language
fi
Pages
v + 65
Series
Abstract
Työssä tutkittiin Kalifornian yliopistossa San Diegossa MBE-menetelmällä kasvatettujen GaInNAs-kvanttipisteiden fotoluminesenssia.
Mittaukset tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratorion mittauslaitteistolla.
Saatuja tuloksia verrattiin puoli vuotta aiemmin San Diegossa mitattuihin fotoluminesenssispektreihin.
Tulosten arvioinnissa käytettiin apuna röntgentopografiakuvista saatuja dislokaatiotiheyksiä ja röntgendiffraktiomittauksista saatuja tuloksia.
Tutkituissa näytteissä oli GaAs-kerroksen päälle kasvatettu yksi tai kaksi peitettyä kvanttipistekerrosta.
Yhden kvanttipistekerroksen näytteissä GaInNAs-kerroksen paksuus muuttui näytteestä toiseen.
Kahden kvanttipistekerroksen näytteissä välikerros oli 8 - 12 nm paksu.
Yhden kvanttipistekerroksen näytteissä luminesenssipiikin intensiteetti ja energia pienenivät ja puoliarvoleveys kasvoi kerrospaksuuden kasvaessa.
Kaksikerrosnäytteissä luminesenssipiikin energia kasvoi välikerroksen paksuuntuessa.
Puoliarvoleveydessä ja intensiteetissä havaitut muutokset olivat erilaisia puolen vuoden välein tehdyissä mittauksissa.
Röntgentopografiakuvista mitatuilla dislokaatioilla huomattiin olevan yhteyttä intensiteetin heikkenemiseen ja typen diffuusioon pois kvanttipisteistä.
Röntgendiffraktiomittaukset ja simulaatiot antoivat samansuuntaisia tuloksia.
GaInNAs-kvanttipisteet eivät enää luminoineet huoneenlämpötilassa.
Luminesenssi-intensiteetti oli myös matalissa lämpötiloissa yleisesti melko heikkoa.
Paras säilyvyys oli 4 atomikerroksen kvanttipistekerroksella.
Se luminoi 1,3 µm aallonpituudella.
Puolijohdelaseria ajatellen kvanttipisteiden luminesenssi intensiteettiä täytyisi vielä parantaa.