Characterization of silicon wafers through surface photovoltage measurements
No Thumbnail Available
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Diplomityö
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Instructions for the author
Authors
Date
1999
Department
Major/Subject
Elektronifysiikka
Mcode
S-69
Degree programme
Language
en
Pages
110
Series
Abstract
Tämä diplomityö käsittelee piikiekon laadun mittaamista kiekon diffuusiopituuden, joka määritetään pintavalojännitemittauksilla, avulla. Kiekon sisäiset ominaisuudet määräävät kiekon diffuusiopituuden. Ensiksi esitellään diffuusiopituuteen vaikuttavat ilmiöt. Kyseisten ilmiöiden ymmärtäminen luo perustan, jonka päälle pintavalojännitteen teoria voidaan rakentaa. Pintavalojännitteen teoria selostetaan. Kaksi hieman erilaista tapaa määrittää kiekon diffuusiopituus esitetään. Kiekon diffuusiopituuden suhde kiekon paksuuteen määrää kumpaa diffuusiopituuden määritystapaa käytetään. Pintavalojännitemittauksen ongelmia raportoidaan. Puolijohdeteollisuuden valmistamien piikiekkojen laatu on nykyisin niin hyvä, että laatu aiheuttaa ongelmia pintavalojännitemittauksille. Todetaan, että jos kiekon diffuusiopituus on alle puolet kiekon paksuudesta niin diffuusiopituuden määritys onnistuu helposti pintavalojännitetekniikalla. Diffuusiopituus voidaan laskea myös diffuusiopituuden ylittäessä kiekon paksuuden, mutta laskettu pituus sisältää helposti virheitä. Pintavalojännitetekniikan käyttämistä kiekon rautakonsentraation määrityksessä tutkitaan. Todetaan, että rautakonsentraatio voidaan laskea mittaustuloksista. Mitattu rautakonsentraatio ei kuitenkaan välttämättä ole lähellä oikeata konsentraatiota.Description
Supervisor
Sinkkonen, JuhaThesis advisor
Yli-Koski, MarkoKeywords
pintavalojännite, diffuusiopituus, rautakonsentraatio, surface photovoltage, diffusion length, iron concentration