Eristetyllä hilalla varustetun bipolaaritransistorin vikaantumismekanismien tunnistaminen

Loading...
Thumbnail Image

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Sähkötekniikan korkeakoulu | Master's thesis

Date

2018-06-18

Department

Major/Subject

Electrical Power and Energy Engineering

Mcode

ELEC3024

Degree programme

AEE - Master’s Programme in Automation and Electrical Engineering (TS2013)

Language

fi

Pages

96 + 11

Series

Abstract

Tässä työssä on esitetty malli eristetyllä hilalla varustetun bipolaaritransistorin eli IGBT:n vikaantumisien systemaattiseen tutkimiseen taajuusmuuttajalaboratoriossa pienitehoisille taajuusmuuttajille käyttäen vikapuudiagrammia. Vikapuussa esitetään yleisellä tasolla IGBT:n vikaantumiseen johtavia syitä, joita voi käyttää alkuperäisen juurisyyn haarukoimiseen. Työssä on käsitelty suurimmaksi osaksi piirikortti- sovellus-, ja ympäristötekijöistä johtuvia vikoja. Ohjelmisto- ja moottorisäätöpohjaiset viat on suurimmaksi osaksi jätetty pois niiden mahdollisten toteutustapojen moninaisuuden vuoksi sekä työn aiheen rajaamiseksi. Tämän lisäksi työssä käsitellään esimerkinomaisesti alentuneen hilajännitteen vaikutusta IGBT:n vikaantumiseen.

This thesis discusses a systematic model to approach insulated-gate bipolar transistor (IGBT) failure modes in low power frequency converter applications utilizing fault tree diagram. Meaning of this thesis is to give tools for coping with root cause analysis of failure of IGBT. This thesis mostly concentrates on circuitry, application and environmental based faults. Software and motor control based faults are largely ignored because of complexity of such issues and dependence on the architecture of the systems as well as to get borders for this thesis. Also, a research part is included with low gate voltage as failure mode.

Description

Supervisor

Kyyrä, Jorma

Thesis advisor

Turunen, Ari

Keywords

IGBT, vikapuudiagrammi, vika-analyysi, vikatyyppi

Other note

Citation