aalto1 untyped-item.component.html
Kvanttipistekerrosrakenteiden epitaktinen valmistus
Loading...
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Master's thesis
Location:
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Authors
Date
Department
Major/Subject
Mcode
S-104
Degree programme
Language
fi
Pages
54
Series
Abstract
Diplomityössä valmistettiin epitaktisesti yksi-, kaksi- ja kolmikerroksisia peitettyjä saarekerakenteita.
Yhteensä tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratorion MOVPE-laitteella 16 näytettä, joissa GaAs-alustakiteen päälle kasvoi In_(0,5)Ga_(0,5)As-saarekekerroksia.
Saarekekasvu tapahtui Stranski-Krastanow -kasvumoodissa.
Kvanttimekaanisessa tarkastelussa kvanttipisteiksi kutsuttujen saarekkeiden peittämiseen käytettiin GaAs:a.
Valmistettuja näytteitä viritettiin valolla.
Näytteiden luminesenssispektrit mitattiin Optoelektroniikan laboratorion fotoluminesenssilaitteistolla.
Saarekkeet luminoivat 1,00 - 1,15 eV:n alueella saarekkeiden koosta riippuen.
Yksikerroksinen saarekerakenne valmistettiin vertailevan tutkimuksen lähtökohdaksi.
Kaksikerroksisten rakenteiden optisia ominaisuuksia tutkittiin In_(0,5)Ga_(0,5)As-saarekekerrosten välissä olevan GaAs-välikerroksen paksuuden ja saarekekerrosten nimellisen kerrospaksuuden funktiona.
Parhaiten luminoivassa kaksikerroksisessa näytteessä saarekekerrosten nimellinen paksuus oli 5 atomikerrosta ja GaAs-välikerroksen paksuus 7 nm.
Suurimmat luminesenssin intensiteetit ja pienimmät puoliarvonleveydet mitattiin kolmikerroksisista rakenteista.
Voimakkaimmin luminoi rakenne, jossa alimman, keskimmäisen ja ylimmän saarekekerroksen nimelliset paksuudet olivat 5,5 ja 4 atomikerrosta.
Pienin mitattu puoliarvonleveys oli 36 meV.
Tämä mitattiin kolmikerroksisesta näytteestä, jossa jokaisen saarekekerroksen nimellinen paksuus oli 5 atomikerrosta ja välikerrosten paksuus 7 nm.