Fotoresistitekniikan kehittäminen submikronialueen CMOS-prosessiin

Loading...
Thumbnail Image

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Helsinki University of Technology | Master's thesis
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Location:
P1 Ark S80

Date

Major/Subject

Mcode

S-69

Degree programme

Language

fi

Pages

69

Series

Abstract

Työn tavoitteena oli tutkia erilaisia resistinpoistotekniikoita, kehittää resistijäämien havainnointimenetelmiä sekä ottaa käyttöön uusi fotoresisti. Päätavoitteena oli kehittää alumiinietsattujen kiekkojen resistinpoistoon soveltuva menetelmä. Kirjallisuustutkimuksessa on käsitelty yleisesti käytettyjä litografialaitteistoja ja -teknologioita sekä perehdytty resistimateriaalien ominaisuuksiin. Lisäksi on selvitetty puolijohdeteknologiassa käytettäviä etsaus- ja ioni-istutusprosesseja ja näiden prosessien aiheuttamia kemiallisia muutoksia resistissä. Nämä muutokset voivat aiheuttaa ongelmia, kun resisti poistetaan. Resistinpoistotekniikoista on käsitelty yleisimmin käytössä olevia märkä- ja kuivapoistomenetelmiä. Lopuksi on esitelty tässä työssä käytettyjä laitteistoja, joilla voidaan tutkia resistinpoiston tehokkuutta ja resistijäämiä. Kokeellisessa osassa on otettu käyttöön uusi fotoresisti, tutkittu useiden erilaisten resistinpoistomenetelmien tehokkuutta alumiinietsatuilla kiekoilla ja kehitetty resistijäämien havainnointiin soveltuvia menetelmiä. Resistinpoiston tehokkuutta alumiinietsatuilta kiekoilta on tarkasteltu pyyhkäisyelektronimikroskoopilla, ja resistinpoiston vaikutuksia alumiinijohtimiin on tutkittu sähköisillä mittauksilla. Piikiekoilla olevien resistijäämien havainnoinnissa on käytetty laser-avusteista mittauslaitteistoa ja atomivoimamikroskooppia.

Description

Supervisor

Kuivalainen, Pekka

Other note

Citation