aalto1 untyped-item.component.html
Low-dimensional Silicon Structures on SOI Substrate
Loading...
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Master's thesis
Authors
Prunnila, Mika
Date
Department
Major/Subject
Mcode
S-114
Degree programme
Language
en
Pages
77
Series
Abstract
Tässä diplomityössä käsitellään piikvanttipistekontaktien ja Hall-tankojen valmistusta sekä näiden sähköisiä ominaisuuksia.
Näytteet on valmistettu SOI-kiekolle (Silicon-On-Insulator).
Valmistusprosessissa käytettiin CMOS-piirien valmistusmenetelmiä sekä elektronisuihkulitografiaa.
Elektronisuihkulitografialla kuvioitiin kvanttipistekontaktien kavennukset.
TEM analyysin sekä AFM kuvien perusteella kavennusten efektiivinen halkaisija oli noin 30-40 nm.
SOI-kerroksen sähköiset ominaisuudet saatiin Hall-mittauksista.
Näiden mittausten perusteella 60 nm paksussa SOI kerroksessa elektronien liikkuvuus ok 9000 cm[2]/Vs 10 K lämpötilassa.
Heikko lokalisaatio ilmiön perusteella pystyttiin määräämään elektronien vaihe-relaksaatio matka.
Pienen kentän Hall-mittausten avulla 4.2 K lämpötilassa vaihe-relaksaatiomatkan arvioitiin olevan luokkaa 500 nm.
Kvanttipiste kontaktin konduktanssissa oli nähtävissä porrasmaista rakennetta 1.5 K lämpötilassa.
Kun lämpötila laskettiin 200 mK:iin, konduktanssissa nähtiin UCF fluktuaatioita (Universal Conductance Fluctuations).