Atomic Layer Epitaxy of III-V Compound Semiconductors in a Hydride Vapor Phase System

Simple item page
dc.contributorAalto-yliopistofi
dc.contributorAalto Universityen
dc.contributor.advisorSuni, Ilkka 
dc.contributor.authorAhopelto, Jouni
dc.contributor.departmentSähkötekniikan osastofi
dc.contributor.schoolTeknillinen korkeakoulufi
dc.contributor.schoolHelsinki University of Technologyen
dc.contributor.supervisorSinkkonen, Juha 
dc.date.accessioned2021-04-14T14:32:51Z
dc.date.available2021-04-14T14:32:51Z
dc.date.issued1991 
dc.format.extent54 
dc.identifier.urihttps://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/105412
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:aalto-202104144702
dc.language.isoenen
dc.programme.majorElektronifysiikkafi
dc.programme.mcodeS-69fi
dc.rights.accesslevelclosedAccess
dc.subject.keywordatomic layer epitaxy (ALE)en
dc.subject.keywordgallium arsenideen
dc.titleAtomic Layer Epitaxy of III-V Compound Semiconductors in a Hydride Vapor Phase Systemen
dc.title3-5 yhdistepuolijohteiden kasvattaminen atomikerrosepitaksialla kaasufaasistafi
dc.type.okmG3 Lisensiaatintutkimus 
dc.type.ontasotLicentiate thesisen
dc.type.ontasotLisensiaatintyöfi
local.aalto.digiauthask
local.aalto.digifolderAalto_35573
local.aalto.idinssi9871
local.aalto.openaccessno

Files

Collections

[lic] Teknillinen korkeakoulu / TKK