Synchrotron X-Ray Diffraction Topography of Semiconductor Heterostructures

Loading...
Thumbnail Image
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
School of Electrical Engineering | Doctoral thesis (article-based) | Defence date: 2012-12-14
Checking the digitized thesis and permission for publishing
Instructions for the author
Date
2012
Major/Subject
Mcode
Degree programme
Language
en
Pages
72 + app. 74
Series
Aalto University publication series DOCTORAL DISSERTATIONS, 173/2012
Abstract
In this thesis dislocations, other crystal defects, and strain in compound heterostructures were studied by means of synchrotron radiation X-ray topography and other X-ray methods. Also, models for critical thickness of thin films were compared to experimental results. Synchrotron radiation X-ray topography (SR-XRT) is an ideal method for studying strained heterostructures with relatively few dislocations (< 104 cm2). Crystal defects in GaAs ans InAs p-i-n structures were characterized. Misfit dislocations and critical thickness in epitaxial dilute GaAsN on GaAs was characterized with synchrotron radiation X-ray topography and high-resolution X-ray diffractometry. Defect structure of thin GaAs epitaxial layer on Ge substrates was studied. Strain distribution between GaN thin films and sapphire substrate was analyzed from back-reflection synchrotron X-ray topographs, and cellular network of strain with about 30 micrometer cell size was discovered. Epitaxial quality of the GaN layers was analyzed. InP epitaxial lateral overgrowth layers were analyzed with synchrotron radiation X-ray topography and high-resolution X-ray diffraction, and strain fields around the growth window edges were successfully imaged. Reciprocal space maps (RSM) were measured from GaInP on GaAs buffer on Ge substrate heterostructures, and no relaxation was observed in neither sample, which proves that a very small number of misfit dislocations is only detectable with SR-XRT. Critical thickness models were compared with experimental data for the GaInP thin film on GaAs buffer on Ge substrate heterostructure, and new insight was found about the relation of pyramidical hillock defects to misfit dislocation formation. Also, the crystal structure of the pyramidical hillocks was determined, and it was found that they are composed of InP instead of GaInP as previously thought. The critical thickness model was successfully expanded to take thermal expansion into account. The information about crystal defects and their distribution, and analysis methods to study them, which was acquired in this thesis, can be used to better understand and control crystal defects in semiconductor heterostructures.

Tässä työssä tutkittiin dislokaatioiden, muiden kidevirheiden ja hilajännityksen esiintymistä heterorakenteisissa yhdistepuolijohteissa käyttämällä synkrotroniröntgentopografiaa ja muita röntgenmittausmenetelmiä. Työssä vertailtiin myös erilaisten epitaktisten hilarakenteiden kriittisen paksuuden mallien antamia tuloksia kokeellisiin tuloksiin. Synkrotroniröntgen-topografia (SR-XRT) osoittautui verrattomaksi mittausmenetelmäksi sellaisten yhdiste-puolijohteiden tutkimiseen, joissa on vähän dislokaatioita (< 104 cm2) ja jotka ovat sisäisessä jännitystilassa. GaAs- ja InAs-pohjaisista p-i-n -rakenteista tutkittiin kidevirheitä. Alustakiekon (GaAs) päälle kasvatetuista laimeista GaAsN-kalvoista tutkittiin sovitusdislokaatioiden syntyä ja kriittistä paksuutta käyttämällä synkrotroniröntgentopografiaa ja röntgendiffraktometriaa. Samoin tutkittiin kidevirheitä Ge-alustan päälle kasvatetusta ohuesta GaAs-kalvosta. Hilajännityksen jakautuminen safiirialustan päälle kasvatetun GaN-kalvon rajapinnassa selvitettiin koostuvan noin 30 mikrometrin silmäkoon virheverkosta. Kasvatetun GaN-kalvon laatu analysoitiin synkrotroniröntgentopografialla. Piialustalle sivusuuntaan maskin päälle kasvatettujen epitaktisten InP-kalvojen sisäiset ja kasvatusaukkoon jättämät jännitystilat tutkittiin synkrotroniröntgentopografialla ja röntgendiffraktometrialla. Ge-substraatin ja GaAs-puskurikerroksen päälle kasvatetuista GaInP-kalvoista mitattiin käänteishilakarttoja, joista todettiin että kalvojen jännitys ei ollut havaittavasti purkautunut, mikä puolestaan todistaa että hyvin pieni määrä sovitusdislokaatioita saadaan näkyviin vain röntgentopografialla. Kriittisen paksuuden malleja vertailtiin kokeellisiin tuloksiin GaInP-kalvoilla, ja saatiin uutta tietoja GaInP-kalvoissa esiintyvien mikropyramidien ja sovitusdislokaatioiden yhteydestä. Mikropyramidien koostumus (InP) ja kiderakenne selvitettiin, ja tieto oli vastoin aikaisempaa oletusta (GaInP) mikropyramidien koostumuksesta. Kriittisen paksuuden mallia laajennettiin onnistuneesti ottamalla lämpölaajeneminen huomioon. Työssä löydettiin uutta tietoa kidevirheistä ja niiden esiintyvyydestä, sekä niiden tutkimiseen käytettävistä menetelmistä. Näiden tietojen avulla heteropuolijohderakenteiden kidevirheitä voidaan ymmärtää ja hallita paremmin.
Description
Supervising professor
Lipsanen, Harri, Prof., Aalto University, Finland
Thesis advisor
Tuomi, Turkka O., Prof., Aalto University, Finland
Keywords
dislocations, heterostructures, X-ray diffraction, crystals, dislokaatiot, heterorakenteet, röntgendiffraktio, kiteet
Other note
Parts
  • [Publication 1]: A. Lankinen, T. Tuomi, J. Riikonen, L. Knuuttila, H. Lipsanen, M. Sopanen, A. Danilewsky, P.J. McNally, L. O’Reilly, Y. Zhilyaev, L. Fedorov, H. Sipilä, S. Vaijärvi, R. Simon, D. Lumb and A. Owens, Synchrotron Xray topographic study of dislocations and stacking faults in InAs, Journal of Crystal Growth 283 (2005) 320–327.
  • [Publication 2]: L. Knuuttila, A. Lankinen, J. Likonen, H. Lipsanen, X. Lu, P. Mc-Nally, J. Riikonen and T. Tuomi, Low Temperature Growth GaAs on Ge, Japanese Journal of Applied Physics 44 (2005) 7777–7784.
  • [Publication 3]: A. Lankinen, T. Tuomi, M. Karilahti, Z.R. Zytkiewicz, J.Z. Domagala, P.J. McNally, Y-T. Sun, F. Olsson and S. Lourdudoss, Crystal Defects and Strain of Epitaxial InP Layers Laterally Overgrown on Si, Crystal Growth & Design 6 (2006) 1096–1100.
  • [Publication 4]: A. Lankinen, L. Knuuttila, T. Tuomi, P. Kostamo, A. Säynätjoki, J. Riikonen, H. Lipsanen, P. J. McNally, X. Lu, H. Sipilä, S. Vaijärvi and D. Lumb, Synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial GaAs on highquality Ge, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 563 (2006) 62–65.
  • [Publication 5]: O. Reentilä, A. Lankinen, M. Mattila, A. Säynätjoki, T.O. Tuomi, H. Lipsanen, L. O’Reilly and P.J. McNally, In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19 (2008) 137–142.
  • [Publication 6]: A. Lankinen, T. Lang, S. Suihkonen, O. Svensk, A. Säynätjoki, T.O. Tuomi, P.J. McNally, M. Odnoblyudov, V. Bougrov, A.N. Danilewsky, P. Bergman and R. Simon, Dislocations at the interface between sapphire and GaN, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19 (2008) 143–148.
  • [Publication 7]: A. Säynätjoki, T.O. Tuomi, A. Lankinen, P.J. McNally, A. Danilewsky, Y. Zhilyaev and L. Fedorov, Dislocations of GaAs p-i-n diodes grown by hydride vapour phase epitaxy, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19 (2008) 149–154.
  • [Publication 8]: P. Kostamo, A. Lankinen, A. Säynätjoki, H. Lipsanen, T.O. Tuomi, Y. Zhilyaev, L. Fedorov and T. Orlova, Synchrotron X-Ray topography and electrical characterization of epitaxial GaAs p-i-n structures, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 591 (2008) 192–195.
  • [Publication 9]: A. Lankinen, L. Knuuttila, P. Kostamo, T.O. Tuomi, H. Lipsanen, P.J. Mc-Nally and L. O’Reilly, Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge, Journal of Crystal Growth 311(2009) 4619–4627.
Citation