Deep Reactive Ion Etching for Microfluidic Structures
Loading...
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Diplomityö
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Author
Date
2006
Department
Major/Subject
Optiikka ja molekyylimateriaalit
Mcode
S-129
Degree programme
Language
en
Pages
82
Series
Abstract
Tämän diplomityön ensimmäinen osa keskittyy kylmässä tapahtuvan, tiheää SF6/O2 plasmaa käyttävän, piin syvän reaktiivisen ionietsaus prosessin karakterisointiin. Työssä tutkittiin laiteparametrien vaikutusta etsaustulokseen. Tutkimuksen tuloksena suurin saavutettu etsausnopeus nousi 4:stä µm/min 7,6:iin µm/min. Diplomityön toisessa osassa keskitytään hyödyntämään syvä ionietsaus prosessia mikrofluidististen laitteiden valmistuksessa. Kanneton kapillaarivoimilla täyttyvä kanava suunniteltiin, valmistettiin ja testattiin. Kokeet fluoresoivilla merkkiaineilla osoittivat, että korkean aspektisuhteen mikropilarit kanavan pohjalla saavat aikaan kapillaarivirtauksen. DIOS kokeita tehtiin sekä mustasta että huokoisesta piistä valmistetuista näytealustoista ja tuloksia verrattiin toisiinsa. Mustan piin helppo valmistusprosessi tekee siitä houkuttelevan materiaalin DIOS sovelluksiin.Description
Supervisor
Tittonen, IlkkaThesis advisor
Franssila, SamiKeywords
deep reactive ion etching, syvä reaktiivinen ionietsaus, microfluidics, mikrofluidistiikka, cryogenic etching, kylmäetsaus, high aspect ratio structures, korkean aspektisuhteen rakenteet, silicon, pii
