Deep Reactive Ion Etching for Microfluidic Structures

Thumbnail Image

Files

master_Sainiemi_Lauri_2006.pdf (27.73 MB)

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Helsinki University of Technology | Diplomityö
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.

Authors

Date

2006

Department

Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto

Major/Subject

Optiikka ja molekyylimateriaalit

Mcode

S-129

Degree programme

Language

en

Pages

82

Series

Abstract

Tämän diplomityön ensimmäinen osa keskittyy kylmässä tapahtuvan, tiheää SF6/O2 plasmaa käyttävän, piin syvän reaktiivisen ionietsaus prosessin karakterisointiin. Työssä tutkittiin laiteparametrien vaikutusta etsaustulokseen. Tutkimuksen tuloksena suurin saavutettu etsausnopeus nousi 4:stä µm/min 7,6:iin µm/min. Diplomityön toisessa osassa keskitytään hyödyntämään syvä ionietsaus prosessia mikrofluidististen laitteiden valmistuksessa. Kanneton kapillaarivoimilla täyttyvä kanava suunniteltiin, valmistettiin ja testattiin. Kokeet fluoresoivilla merkkiaineilla osoittivat, että korkean aspektisuhteen mikropilarit kanavan pohjalla saavat aikaan kapillaarivirtauksen. DIOS kokeita tehtiin sekä mustasta että huokoisesta piistä valmistetuista näytealustoista ja tuloksia verrattiin toisiinsa. Mustan piin helppo valmistusprosessi tekee siitä houkuttelevan materiaalin DIOS sovelluksiin.

Description

Supervisor

Tittonen, Ilkka

Thesis advisor

Franssila, Sami

Keywords

deep reactive ion etching, syvä reaktiivinen ionietsaus, microfluidics, mikrofluidistiikka, cryogenic etching, kylmäetsaus, high aspect ratio structures, korkean aspektisuhteen rakenteet, silicon, pii

Other note

Citation

Permanent link to this item

https://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-2020120552329

Collections

[dipl] Teknillinen korkeakoulu / TKK