Low-noise BiCMOS amplifiers for base station applications
Loading...
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Diplomityö
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Author
Date
1999
Department
Major/Subject
Piiritekniikka
Mcode
S-87
Degree programme
Language
en
Pages
74
Series
Abstract
Diplomityössä on tutkittu BiCMOS-teknologian soveltumista solukkoverkkotukiaseman vastaanottimen vähäkohinaisen vahvistimen valmistukseen. Työssä on suunniteltu ja prosessoitu kaksi erilaista vahvistinta. Ensimmäinen on 0.8 µm BiCMOS-prosessilla toteutettu yksipäinen yhteisemitterikytketty vahvistin, ja toinen 0.35 µm prosessilla tehty differentiaalinen kaskodivahvistin. Työssä käsitellään lisäksi integroitujen piirien koteloinnin aiheuttamien induktanssien mallitusta. Differentiaalisessa vahvistimessa käytetty TQFP32-kotelo on mallitettu FastHenry-ohjelmalla. Yksipäisen vahvistimen suorituskykyä käsitellään vain simulointien pohjalta, koska suunnittelussa tehdyn virheen vuoksi piiriä ei voitu mitata. Differentiaalisen vahvistimen mitattu vahvistus 900 MHz taajuudella oli 16.7 dB, kohinaluku 2.2 dB ja tulotehon -1 dB:n kompressiopiste -10.0 dBm. Sama vahvistin sovitettiin myös 1750 MHz taajuudelle eri kuormapiirillä, jolloin vahvistukseksi mitattiin 22.5 dB, kohinaluvuksi 2.7 dB ja tulotehon kompressiopisteeksi -10.5 dBm.Description
Supervisor
Halonen, KariThesis advisor
Pöllänen, OssiKeywords
low-noise amplifier, LNA, bipolar transistor, noise, packaging, vähäkohinainen vahvistin, bipolaarinen transistori, kohina, kotelointi