High efficiency power amplifier design for WCDMA base stations using bare-die devices

Loading...
Thumbnail Image
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology | Diplomityö
Date
2003
Major/Subject
Radiotekniikka
Mcode
S-26
Degree programme
Language
en
Pages
x + 71 s. + liitt. 7
Series
Abstract
Tämän diplomityön tarkoituksena on suunnitella ja toteuttaa B-luokan korkean hyötysuhteen tehovahvistimia käytettäväksi korkean hyötysuhteen lähetin-järjestelmässä, jossa epälineaarisia tehovahvistimia voidaan käyttää lineaarisen vahvistuksen aikaansaamiseksi. Työssä toteutettiin yhteensä kolme tehovahvistinta käyttäen pHEMT sirutransistoreja. Koteloimattomia transistoreja käytettiin lisäämään suunnittelun vapausasteita. Työn ensimmäisessä osassa käsitellään tehovahvistimien teoriaa sekä korkean hyötysuhteen tehovahvistimien suunnittelussa esiin tulevia asioita. Seuraavaksi työssä esitetään tehotransistoriteknologian perusteet, ja tarkastellaan pHEMT transistorin rakennetta sekä paljaiden sirutransistorien käyttöön liittyviä kysymyksiä. Lopuksi käydään läpi tehovahvistimien suunnitteluprosessin vaiheet ja niille suoritetut mittaukset sekä vertaillaan mitattuja suureita tietokonesimuloinneissa saavutettuihin arvoihin. Käytettyjen pHEMT transistorien ulostuloteho jäi simuloitua alhaisemmaksi. Ensimmäisen puutteellisen version jälkeen vahvistimet toimivat alhaisempaa ulostulotehoa lukuun ottamatta lähes simuloidulla tavalla. Paras hyötysuhde saavutettiin push-pull topologialla, jolloin hyötysuhde oli 75 % ja PAE = 54 %, ulostulotehon ollessa 34.5 dBm
Description
Supervisor
Räisänen, Antti
Thesis advisor
Kaunisto, Risto
Keywords
efficiency, hyötysuhde, PA, tehovahvistin, B-class, B-luokka, push-pull, bare-die, pHEMT
Other note
Citation