High efficiency power amplifier design for WCDMA base stations using bare-die devices

Loading...
Thumbnail Image

URL

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Helsinki University of Technology | Diplomityö

Date

Major/Subject

Mcode

S-26

Degree programme

Language

en

Pages

x + 71 s. + liitt. 7

Series

Abstract

Tämän diplomityön tarkoituksena on suunnitella ja toteuttaa B-luokan korkean hyötysuhteen tehovahvistimia käytettäväksi korkean hyötysuhteen lähetin-järjestelmässä, jossa epälineaarisia tehovahvistimia voidaan käyttää lineaarisen vahvistuksen aikaansaamiseksi. Työssä toteutettiin yhteensä kolme tehovahvistinta käyttäen pHEMT sirutransistoreja. Koteloimattomia transistoreja käytettiin lisäämään suunnittelun vapausasteita. Työn ensimmäisessä osassa käsitellään tehovahvistimien teoriaa sekä korkean hyötysuhteen tehovahvistimien suunnittelussa esiin tulevia asioita. Seuraavaksi työssä esitetään tehotransistoriteknologian perusteet, ja tarkastellaan pHEMT transistorin rakennetta sekä paljaiden sirutransistorien käyttöön liittyviä kysymyksiä. Lopuksi käydään läpi tehovahvistimien suunnitteluprosessin vaiheet ja niille suoritetut mittaukset sekä vertaillaan mitattuja suureita tietokonesimuloinneissa saavutettuihin arvoihin. Käytettyjen pHEMT transistorien ulostuloteho jäi simuloitua alhaisemmaksi. Ensimmäisen puutteellisen version jälkeen vahvistimet toimivat alhaisempaa ulostulotehoa lukuun ottamatta lähes simuloidulla tavalla. Paras hyötysuhde saavutettiin push-pull topologialla, jolloin hyötysuhde oli 75 % ja PAE = 54 %, ulostulotehon ollessa 34.5 dBm

Description

Supervisor

Räisänen, Antti

Thesis advisor

Kaunisto, Risto

Other note

Citation