aalto1 untyped-item.component.html
High efficiency power amplifier design for WCDMA base stations using bare-die devices
Loading...
URL
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Helsinki University of Technology |
Master's thesis
Location:
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Authors
Date
Department
Major/Subject
Mcode
S-26
Degree programme
Language
en
Pages
x + 71 s. + liitt. 7
Series
Abstract
Tämän diplomityön tarkoituksena on suunnitella ja toteuttaa B-luokan korkean hyötysuhteen tehovahvistimia käytettäväksi korkean hyötysuhteen lähetin-järjestelmässä, jossa epälineaarisia tehovahvistimia voidaan käyttää lineaarisen vahvistuksen aikaansaamiseksi.
Työssä toteutettiin yhteensä kolme tehovahvistinta käyttäen pHEMT sirutransistoreja.
Koteloimattomia transistoreja käytettiin lisäämään suunnittelun vapausasteita.
Työn ensimmäisessä osassa käsitellään tehovahvistimien teoriaa sekä korkean hyötysuhteen tehovahvistimien suunnittelussa esiin tulevia asioita.
Seuraavaksi työssä esitetään tehotransistoriteknologian perusteet, ja tarkastellaan pHEMT transistorin rakennetta sekä paljaiden sirutransistorien käyttöön liittyviä kysymyksiä.
Lopuksi käydään läpi tehovahvistimien suunnitteluprosessin vaiheet ja niille suoritetut mittaukset sekä vertaillaan mitattuja suureita tietokonesimuloinneissa saavutettuihin arvoihin.
Käytettyjen pHEMT transistorien ulostuloteho jäi simuloitua alhaisemmaksi.
Ensimmäisen puutteellisen version jälkeen vahvistimet toimivat alhaisempaa ulostulotehoa lukuun ottamatta lähes simuloidulla tavalla.
Paras hyötysuhde saavutettiin push-pull topologialla, jolloin hyötysuhde oli 75 % ja PAE = 54 %, ulostulotehon ollessa 34.5 dBm