Learning Centre

Design of a CMOS amplifier for millimeter-wave frequencies

 |  Login

Show simple item record

dc.contributor Aalto-yliopisto fi
dc.contributor Aalto University en
dc.contributor.advisor Varonen, Mikko
dc.contributor.advisor Kärkkäinen, Mikko
dc.contributor.author Sandström, Dan
dc.date.accessioned 2020-12-05T13:48:29Z
dc.date.available 2020-12-05T13:48:29Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.uri https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/95692
dc.description.abstract Nopeiden langattomien tiedonsiirtojärjestelmien kehitys on edistänyt integroitujen piirien tutkimusta ja suunnittelua millimetriaaltoalueella. Tulevaisuuden sovelluksiin kuuluvat mm. huippunopea langaton lähiverkko 60 GHz:n ympäristössä ja autotutka 77 GHz:n taajuudella. Tällä hetkellä mm-aaltoalueen tarjoamia etuja, joita ovat mm. laajat lupavapaat taajuuskaistat ja vähäiset häiriöt muista langattomista laitteista, ei juurikaan hyödynnetä kuluttajasovelluksissa. Syynä on ollut käytettyjen yhdistepuolijohdeprosessien hinta ja valmistuksen toistettavuus. Pii-pohjaisen CMOS-teknologian nopea viivanleveyden kaventuminen on mahdollistanut mm-aaltoalueen integroitujen piirien suunnittelemisen digitaalisten piiriosien kanssa täysin yhteensopivilla prosesseilla. Integrointiasteen kasvattaminen tuo säästöjä ja lisää tuotteiden luetettavuutta, jotka ovat molemmat erittäin tärkeitä ominaisuuksia tuotannon kannalta. Tässä työssä esitellään mm-aaltoalueen vahvistimen suunnittelemiseen liittyvää teoriaa ja sen soveltamista käytännön piirisuunnitteluun. Lisäksi tutkitaan passiivisten ja aktiivisten piirielementtien mallinnusta piirisuunnittelun kannalta. Suunniteltu vahvistin on tarkoitettu kattamaan osa nk. E-taajuusalueesta (60-90 GHz). Täysi yhteensopivuus digitaalisten piiriosien kanssa saavutetaan käyttämällä 65 nm:n pii-pohjaista CMOS prosessia ilman lisäoptioita. Simuloitu suorituskyky vahvistetaan mittauksin, jotka tapahtuvat suoraan pii-piiriltä mittakärkien avulla. Poikkeamat simuloiduista tuloksista käsitellään, niiden syyt paikannetaan ja vahvistetaan uusilla simulaatioilla. Vahvistimen mitattu keskitaajuus on 86 GHz, jolla saavutetaan 12 dB:n vahvistus ja 8.8 dB:n kohinaluku käyttäen 1.2 V:n käyttöjännitettä. Vahvistimen pinta-ala on vain 0.42 mm2. Tulokset ovat vertailukelpoisia, tai parempia, kuin muilla julkaistuilla 80-100 GHz:n taajuusalueella toimivilla CMOS vahvistimilla. fi
dc.format.extent 73
dc.language.iso en en
dc.title Design of a CMOS amplifier for millimeter-wave frequencies en
dc.title Millimetriaaltoalueen CMOS vahvistimen suunnittelu fi
dc.contributor.school Teknillinen korkeakoulu fi
dc.contributor.school Helsinki University of Technology en
dc.contributor.department Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta fi
dc.subject.keyword integrated circuits en
dc.subject.keyword integroidut piirit fi
dc.subject.keyword CMOS MMIC en
dc.subject.keyword CMOS MMIC fi
dc.subject.keyword millimeter-wave frequency en
dc.subject.keyword millimetriaaltoalue fi
dc.subject.keyword low noise amplifier en
dc.subject.keyword vähäkohinainen vahvistin fi
dc.identifier.urn URN:NBN:fi:aalto-2020120554526
dc.programme.major Piiritekniikka fi
dc.programme.mcode S-87 fi
dc.type.ontasot Master's thesis en
dc.type.ontasot Pro gradu -tutkielma fi
dc.contributor.supervisor Halonen, Kari
local.aalto.openaccess no
local.aalto.digifolder Aalto_40245
dc.rights.accesslevel closedAccess
local.aalto.idinssi 35931
dc.type.publication masterThesis
dc.type.okm G2 Pro gradu, diplomityö
local.aalto.digiauth ask


Files in this item

Files Size Format View

There are no open access files associated with this item.

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search archive


Advanced Search

article-iconSubmit a publication

Browse

Statistics