Deep Reactive Ion Etching for Microfluidic Structures

Abstract

Tämän diplomityön ensimmäinen osa keskittyy kylmässä tapahtuvan, tiheää SF6/O2 plasmaa käyttävän, piin syvän reaktiivisen ionietsaus prosessin karakterisointiin. Työssä tutkittiin laiteparametrien vaikutusta etsaustulokseen. Tutkimuksen tuloksena suurin saavutettu etsausnopeus nousi 4:stä µm/min 7,6:iin µm/min.

Diplomityön toisessa osassa keskitytään hyödyntämään syvä ionietsaus prosessia mikrofluidististen laitteiden valmistuksessa. Kanneton kapillaarivoimilla täyttyvä kanava suunniteltiin, valmistettiin ja testattiin. Kokeet fluoresoivilla merkkiaineilla osoittivat, että korkean aspektisuhteen mikropilarit kanavan pohjalla saavat aikaan kapillaarivirtauksen.

DIOS kokeita tehtiin sekä mustasta että huokoisesta piistä valmistetuista näytealustoista ja tuloksia verrattiin toisiinsa. Mustan piin helppo valmistusprosessi tekee siitä houkuttelevan materiaalin DIOS sovelluksiin.