Title: | Printed and low-temperature-processed indium oxide thin-film transistors for flexible applications Painetut ja matalassa lämpötilassa valmistetut indiumoksidi-ohutkalvotransistorit taipuisiin sovelluksiin |
Author(s): | Leppäniemi, Jaakko |
Date: | 2017 |
Language: | en |
Pages: | 135 + app. 35 |
Department: | Teknillisen fysiikan laitos Department of Applied Physics |
ISBN: | 978-952-60-7342-2 (Aalto, electronic) 978-952-60-7343-9 (Aalto, printed) 978-951-38-8520-5 (VTT, electronic) 978-951-38-8521-2 (VTT, printed) |
Series: | Aalto University publication series DOCTORAL DISSERTATIONS, 50/2017, VTT Science, 148 |
ISSN: | 1799-4942 (Aalto, electronic) 1799-4934 (Aalto, printed) 1799-4934 (Aalto, ISSN-L) 2242-1203 (VTT, electronic) 2242-119X (VTT; printed) 2242-119X (VTT, ISSN-L) |
Supervising professor(s): | Kauppinen, Esko, Prof., Aalto University, Department of Applied Physics, Finland |
Thesis advisor(s): | Alastalo, Ari, Dr., VTT Technical Research Centre of Finland Ltd, Finland |
Subject: | Physics |
Keywords: | printed electronics, metal oxide thin-film transistors, flexographic printing, inkjet printing, low-temperature annealing, depletion-load inverter, painettu elektroniikka, metallioksidi-ohutkalvotransistorit, fleksopaino, mustesuihku-tulostus, matala toivutuslämpötila, sulkutyyppiseen transistorikuormaan perustuva invertteri |
|
|
Abstract:Painotekniikkaa ja mikroelektroniikkaa yhdistävää tieteenalaa kutsutaan usein painetuksi elektroniikaksi. Painettuja ohutkalvotransistoreita (engl. thin-film transistor, TFT) voidaan pitää näiden teknologioiden yhdistelmän huipentumana. Näytöissä ja digitaalisissa röntgendetektoreissa olevat amorfiseen piihin perustuvat (a-Si) TFT:t valmistetaan perinteisesti käyttäen tyhjiökasvatusmene-telmiä, korkeaa valmistuslämpötilaa (> 250 °C) ja taipumatonta alustaa. Uusien puolijohdemate-riaalien, kuten orgaanisten- ja metallioksidipuolijohteiden, kehitystä ohjaavat taipuisien sekä orgaanisiin valodiodeihin (OLED) perustuvien näyttöjen asettamat vaatimukset komponenttien taipuisuudelle sekä puolijohteen suorituskyvylle. Orgaanisia ohutkalvotransistoreita (OTFT) voidaan valmistaa taipuisille alustoille käyttäen painomenetelmiä ja matalaa lämpötilaa (< 150 °C), kun taas metallioksideihin perustuvat TFT:t tarjoavat näitä paremman suorituskyvyn mutta ovat valmistettu joko käyttäen tyhjiömenetelmiä tai liuosprosessia ja korkeaa lämpötilaa (> 300 °C). |
|
Parts:[Publication 1]: J. Leppäniemi, O.-H. Huttunen, H. Majumdar and A. Alastalo, Flexography-Printed In2O3 Semiconductor Layers for High-Mobility Thin-Film Transistors on Flexible Plastic Substrate, Advanced Materials 2015, vol. 27 (44), pp. 7168-7175. DOI: 10.1002/adma.201502569 View at Publisher [Publication 2]: J. Leppäniemi, K. Ojanperä, T. Kololuoma, O.-H. Huttunen, J. Dahl, M. Tuominen, P. Laukkanen, H. Majumdar and A. Alastalo, Rapid low-temperature processing of metal-oxide thin film transistors with combined far ultraviolet and thermal annealing, Applied Physics Letters 2014 , vol. 105 (11), p. 113514. DOI: 10.1063/1.4895830 View at Publisher [Publication 3]: J. Leppäniemi, K. Eiroma, H. Majumdar and A. Alastalo, Far-UV Annealed Inkjet-Printed In2O3 Semiconductor Layers for Thin-Film Transistors on a Flexible Polyethylene Naphthalate Substrate, ACS Applied Materials and Interfaces, 2017, vol. 9 (10), pp. 8774-8782 2016 , vol. 37 (4), pp. 445-448. DOI: 10.1021/acsami.6b14654 View at Publisher [Publication 4]: J. Leppäniemi, K. Eiroma, H. Majumdar and A. Alastalo, In2O3 Thin-Film Transistors via Inkjet Printing for Depletion-Load NMOS Inverters, IEEE Electron Device Letters 2016, vol. 37 (4), pp. 445-448. DOI: 10.1109/LED.2016.2529183 View at Publisher |
|
|
Unless otherwise stated, all rights belong to the author. You may download, display and print this publication for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Page content by: Aalto University Learning Centre | Privacy policy of the service | About this site