Luminescence properties of GaN based diffusion injected light emitting diode structures

 |  Login

Show simple item record

dc.contributor Aalto-yliopisto fi
dc.contributor Aalto University en
dc.contributor.advisor Riuttanen, Lauri
dc.contributor.author Myllys, Pertti
dc.date.accessioned 2015-06-23T11:38:49Z
dc.date.available 2015-06-23T11:38:49Z
dc.date.issued 2015-06-10
dc.identifier.uri https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/16787
dc.description.abstract Uusiin nanorakenteisiin perustuvien hohtodiodien (LED, light emitting diode) odotetaan parantavan LED:en suorituskykyä, mutta perinteiseen LED-malliin perustuvat uudet rakenteet kohtaavat kuitenkin haasteita sekä valmistuksessa että varaustenkuljettajien syötön hyötysuhteessa. Näiden ongelmien ratkaisemiseksi on uudenlainen virransyöttörakenne valmistettu perustuen varauksenkuljettajien diffuusioon. Diffuusioinjektoiduissa LED-rakenteissa (DILED, diffusion injected light emitting diode) aktiivinen alue sijaitsee pn-liitoksen ulkopuolella ja varauksenkuljettajat diffusoituvat aktiiviselle alueelle samalta puolelta. Tässä diplomityössä keskitytään kolmen erilaisen GaN-pohjaisen DILED-rakenteen luminesenssi ominaisuuksiin. Rakenteet sisältävät kaksi erilaista haudattua monikvanttikaivorakennetta ja yhden pintakvanttikaivorakenteen. Tavoitteena on karakterisoida ja selvittää kyseisten uusien laitteiden tehokkuus ja soveltuvuus uutena LED-mallina. Rakenteet mitattiin elektroluminesenssi (EL), mukaan lukien lämpötilakontrolloitu tilanne, fotoluminesenssi (PL) sekä mikrofotoluminesenssi (µ-PL) menetelmillä. Toisin kuin perinteiset LED:t, DILED-rakenteiden emissio kasvaa lämpötilan kasvaessa. Hyvyysluvut, kuten ulkoinen kvanttihyötysuhde, optinen lähtöteho ja tehohyötysuhde, olivat suhteellisen alhaiset jokaisessa haudatussa monikvanttikaivorakenteessa. Jokaisen hyvyysluvun arvo kuitenkin kasvoi syötetyn virran suhteen, mikä on perinteisille GaN-pohjaisille LED-rakenteille päinvastainen. Pintakvanttikaivollisten DILED:en emissio oli liian heikko mitattavaksi optisella kuidulla, joten vain PL ja µ-PL mittaukset suoritettiin. Kaikki DILED-rakenteet tarjoavat vaihtoehtoisen tavan virran syötölle, uuden mahdollisuuden laitesuunnittelulle sekä auttavat ratkaisemaan GaN-pohjaisten LED:en kehityksessä ilmeneviä haasteita. fi
dc.format.extent 60 + 0
dc.format.mimetype application/pdf en
dc.language.iso en en
dc.title Luminescence properties of GaN based diffusion injected light emitting diode structures en
dc.title GaN-pohjaisten diffuusioinjektoitujen hohtodiodirakenteiden luminesenssi ominaisuudet fi
dc.type G2 Pro gradu, diplomityö en
dc.contributor.school Sähkötekniikan korkeakoulu fi
dc.subject.keyword III-nitrides en
dc.subject.keyword carrier injection en
dc.subject.keyword charge carrier diffusion en
dc.subject.keyword DILED en
dc.subject.keyword GaN en
dc.subject.keyword LED en
dc.identifier.urn URN:NBN:fi:aalto-201506303438
dc.programme.major Mikro- ja nanotekniikka fi
dc.programme.mcode S3010 fi
dc.type.ontasot Master's thesis en
dc.type.ontasot Diplomityö fi
dc.contributor.supervisor Sopanen, Markku
dc.programme EST - Elektroniikka ja sähkötekniikka fi
dc.location P1 fi


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search archive


Advanced Search

article-iconSubmit a publication

Browse

My Account