Fabrication and characterization of atomic-layer-deposited Er2O3 for optical amplifier devices

 |  Login

Show simple item record

dc.contributor Aalto-yliopisto fi
dc.contributor Aalto University en
dc.contributor.advisor Karvonen, Lasse
dc.contributor.author Rönn, John
dc.date.accessioned 2015-02-19T08:58:44Z
dc.date.available 2015-02-19T08:58:44Z
dc.date.issued 2015-02-09
dc.identifier.uri https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/15206
dc.description.abstract Recently, erbium-doped optical amplifiers have drawn significant attention as a solution to compensate the propagation losses for silicon photonics due to their ability to produce amplification of light at 1.5 um with high efficiency and low noise over wide bandwidth. In silicon photonics, much effort has been put into the development of Er-doped optical amplifiers in the form of strip or slot waveguides, in which the amplification is produced over short (~ cm) structures. However, there has not been any major success in the development, because several challenges arise in Er-doped waveguide amplifiers as the amplification over short structures requires very high concentration of Er-ions in the amplifier gain material. It has been shown that some of these challenges can be avoided by optimizing the fabrication of the Er-doped gain material. Atomic layer deposition has shown a great potential in the fabrication of Er-doped materials because it can be used to precisely control the profile of the Er-ions in the amplifier gain material. In this thesis, plasma-enhanced atomic layer deposition has been successfully used to fabricate Er-doped materials and to control their photoluminescence 1.5 um This was done in two parts. First, an optimized ALD process for erbium in its sesquioxide form, Er2O3, was developed and as a result, a growth rate of 0.215 Å/cycle and non-uniformity of 3.55 % were obtained on 6" wafer. Er2O3 was then deposited in a nanolaminate configuration with Al2O3 and the thickness of the Al2O3 was controlled. The as-deposited samples were then optically characterized with absorption and photoluminescence measurements and it was observed that when the thickness of the Al2O3-layer between the Er2O3-layers was increased, an enhanced photoluminescence signal at 1.5 um was measured. Therefore, this thesis shows that the photoluminescence of the Er-ions at 1.5 um can be greatly enhanced by the nanoscale engineering of the fabrication process. en
dc.description.abstract Erbium-seostetut materiaalit ovat herättäneet kiinnostusta potentiaalisina materiaaleina valon vahvistamiseen ja valonlähteiksi piifotoniikassa. Piifotoniikassa valon teho vaimenee sekä sirujen välisissä kytkennöissä, että itse valokanavissa ja tämän takia signaalia täytyy vahvistaa. Myös halpojen, helposti integroitavien valonlähteiden puute on merkittävä ongelma piifotoniikassa. Jotta signaalin vavistus piipohjaisissa valokanavarakenteissa pystyttäisiin toteuttamaan, erbium-seostettuja materiaaleja on pyritty yhdistämään piifotoniikkaan. Valokanavissa törmätään kuitenkin erilaisiin haasteisiin, koska erbium-ionien määrää täytyy kasvattaa radikaalisti vahvistuksen aikaansaamiseksi lyhyillä matkoilla. Tästä syystä lisää tutkimusta ja uusia valmistustekniikoita tarvitaan erbium-pohjaisten valokanavavahvistimien toteuttamiseksi. Atomikerroskasvatusmenetelmä on erityisen potentiaalinen menetelmä erbium-pohjaisten materiaalien valmistamiseen, koska sillä voidaan tarkasti säätää erbium-ionien jakaumaa vahvistimen sisällä. Tässä työssä on pystytty näyttämään, että plasma-avustettua atomikerroskasvatusmenetelmää voidaan käyttää erbium-seostettujen materiaalien valmistamisessa ja niiden optisten ominaisuuksien säätämisessä Al2O3-pohjaisissa näytteissä. Tämä tavoite saavutettiin kahdessa osassa. Ensimmäisessä osassa kehitettiin optimoitu prosessi erbiumoksidille (Er2O3). Kyseisen Er2O3-prosessin kasvunopeuden ja epätasaisuuden mitattiin olevan 0.215 Å/sykli ja 3.55 % kuuden tuuman kiekolla. Seuraavaksi alumiinioksidia seostettiin erbiumilla kasvattamalla Er2O3-kerroksia alumiinioksidikerrosten väliin. Materiaalin ominaisuuksia pystyttiin kontrolloimaan muuttamalla alumiinioksidikerroksen paksuutta Er2O3-kerroksen välillä. Optisissa mittauksissa huomattiin, että kun alumiinioksidikerroksen paksuus kasvoi, myös fotoluminesenssi 1.5 um:n aallonpituudella kasvoi. Työ täten osoitti, että erbium-ionien fotoluminesenssiä voidaan tehostaa optimoimalla erbium-ionien valmistusmenetelmää. fi
dc.format.extent 64+7
dc.format.mimetype application/pdf en
dc.language.iso en en
dc.title Fabrication and characterization of atomic-layer-deposited Er2O3 for optical amplifier devices en
dc.title Atomikerroskasvatetun Er2O3:n valmistaminen ja sen karakterisointi optisia vahvistinlaitteita varten fi
dc.type G2 Pro gradu, diplomityö en
dc.contributor.school Sähkötekniikan korkeakoulu fi
dc.subject.keyword erbium en
dc.subject.keyword atomic layer deposition en
dc.subject.keyword optical amplifier en
dc.subject.keyword photoluminescence en
dc.subject.keyword optical waveguide en
dc.identifier.urn URN:NBN:fi:aalto-201502191899
dc.programme.major Mikro- ja nanotekniikka fi
dc.programme.mcode S3010 fi
dc.type.ontasot Master's thesis en
dc.type.ontasot Diplomityö fi
dc.contributor.supervisor Sun, Zhipei
dc.programme EST - Elektroniikka ja sähkötekniikka fi
dc.location P1 fi


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search archive


Advanced Search

article-iconSubmit a publication

Browse

My Account