Learning Centre

Plasmonisten nanohilojen valmistus ja karakterisointi indiumgalliumnitridi kvanttikaivojen päälle

 |  Login

Show simple item record

dc.contributor Aalto-yliopisto fi
dc.contributor Aalto University en
dc.contributor.advisor Kujala, Sami
dc.contributor.author Kauppinen, Christoffer
dc.date.accessioned 2014-04-17T11:34:42Z
dc.date.available 2014-04-17T11:34:42Z
dc.date.issued 2014-03-31
dc.identifier.uri https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/12908
dc.description.abstract Tässä työssä kehitettiin prosessi hopeahilojen valmistamiseksi galliumnitridin päälle, käyttäen atsopolymeerihiloja etsausmaskeina. Atsopolymeerihilat valmistettiin laserinterferenssilitografialla. Hopeahilojen periodi oli 255 nm. Kuvioidut näytteet olivat pinta-alaltaan noin 4 cm2. Hopeahilojen tarkoitus oli kytkeä energiaa galliumnitridin sisällä olevasta indiumgalliumnitridikvanttikaivosta pintaplasmoneihin, ja kytkeä energiaa pintaplasmoneista säteileviin moodeihin. Kaksiulotteisia kultapallomatriiseja valmistettiin samalla tekniikalla. Kultapallojen halkaisija oli noin 40 nm. Näitä käytettiin galliumarsenidinanopilareiden kasvattamiseksi galliumarsenidin päälle käyttäen metallo-orgaanista kaasufaasiepitaksiaa. Pintaplasmonien kytkeytymiskokeita suoritettiin prosessoiduille galliumnitridinäytteille. Optinen mittausjärjestely rakennettiin tätä varten. Plasmonista kytkeytymistä ei varmuudella voitu osoittaa, vaikka kytkeytymiskokeiden tulokset sopivat kvalitatiivisesti teorian kanssa yhteen. fi
dc.description.abstract In this work a process for fabricating subwavelength silver gratings on GaN was developed, using azo-polymer surface relief gratings as etch masks. The azo-polymer gratings were fabricated using laser interference lithography. The period of the gratings was 255 nm. The patterned areas were approximately 4 cm2. The purpose of the gratings was to couple energy from an InGaN quantum well inside the GaN to surface plasmons, and to couple these surface plasmons to radiative modes. Two-dimensional arrays of gold spheres were fabricated with the same technique. The diameter of the spheres was approximately 40 nm. These were used to grow GaAs nanopillars on GaAs using metalorganic vapour phase epitaxy. Surface plasmon coupling experiments were also performed on the processed GaN samples. An optical setup was built for this purpose. The results from the coupling experiments were inconclusive, although the experimental data agrees qualitatively with theory. en
dc.format.extent 6+58
dc.format.mimetype application/pdf en
dc.language.iso en en
dc.title Plasmonisten nanohilojen valmistus ja karakterisointi indiumgalliumnitridi kvanttikaivojen päälle fi
dc.title Fabrication and characterization of plasmonic nanogratings on indium gallium nitride quantum wells en
dc.type G2 Pro gradu, diplomityö en
dc.contributor.school Sähkötekniikan korkeakoulu fi
dc.subject.keyword surface plasmons en
dc.subject.keyword InGaN en
dc.subject.keyword LED en
dc.subject.keyword azo-polymer en
dc.subject.keyword laser interference lithography en
dc.subject.keyword nanostructure en
dc.subject.keyword pintaplasmoni fi
dc.subject.keyword atsopolymeeri fi
dc.subject.keyword laserinterferenssilitografia fi
dc.subject.keyword nanorakenne fi
dc.identifier.urn URN:NBN:fi:aalto-201404181714
dc.programme.major Sähköfysiikka fi
dc.programme.mcode S3014 fi
dc.type.ontasot Diplomityö fi
dc.type.ontasot Master's thesis en
dc.contributor.supervisor Sopanen, Markku
dc.programme EST - Elektroniikka ja sähkötekniikka fi
dc.location P1 fi
local.aalto.openaccess yes
local.aalto.digifolder Aalto_05862
dc.rights.accesslevel openAccess
local.aalto.idinssi 48923
dc.type.publication masterThesis
dc.type.okm G2 Pro gradu, diplomityö


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search archive


Advanced Search

article-iconSubmit a publication

Browse

Statistics