Learning Centre

Laskennallinen tutkimus TMA/H2O ALD-prosessista

 |  Login

Show simple item record

dc.contributor Aalto-yliopisto fi
dc.contributor Aalto University en
dc.contributor.advisor Melander, Marko
dc.contributor.author Weckman, Timo
dc.date.accessioned 2014-03-06T07:49:31Z
dc.date.available 2014-03-06T07:49:31Z
dc.date.issued 2014-02-11
dc.identifier.uri https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/12693
dc.description.abstract Alkujaan suomalaisperäinen ALD-prosessi (atomic layer deposition, atomikerroskasvatus) on erityisesti pienelektroniikassa tärkeä sovellus, jolla on mahdollista syntetisoida jopa vain muutaman atomin paksuisia ohutkalvoja. Prosessilla valmistettavien atomikerrostumien paksuutta ja rakennetta on mahdollista kontrolloida hyvin tarkasti. Ohutkalvoille on lukuisia käyttökohteita joista kaupallisesti tärkeimmät ovat puolijohdeteollisuudessa, esimerkiksi transistoreiden portti-oksidien valmistuksessa. Laskennallinen mallintaminen on noussut luonnontieteissä tärkeäksi komponentiksi teoreettisen ja kokeellisen tutkimuksen rinnalle. Kemiassa systeemejä voidaan mallintaa \emph{ab initio}, alusta alkaen ilman varsinaista empiiristä tietoa systeemistä, käyttämällä kvanttimekaniikkaa. Laskennallisella tutkimuksella voidaan paitsi verifioida tai falsifoida olemassa olevia malleja, myös tutkia esimerkiksi uusia reaktiomekanismeja ja tuottaa kvantitatiivista tietoa. Trimetyylialumiini--vesi-prosessi on ehkä tutkituin ALD-prosessi. Prosessilla kasvatetaan alumiinioksidiohutkalvoja. Teoreettinen tarkastelu systeemistä on kuitenkin ollut melko vähäistä. Osa tutkimuksista on pohjautunut alkuaskeleisiin piidioksidin pinnalla, osa vastaavasti jatkoreaktioihin muodostuneella alumiinioksidipinnalla. Aikaisemmat tutkimukset kasvusta aluminalla ovat pohjautuneet klusterimalleihin tai prosessiolosuhteiden kannalta epärealistiseen kuvaukseen pinnasta. Tässä työssä on toistettu aiemmin kirjallisuudessa esitetyt mallit prosessista ja esitetään reaktiomekanismit realistisemmalla alumiinioksidi-pintamallilla. fi
dc.description.abstract The ALD-process (atomic layer deposition) is an important application in microelectronics that enables thin film synthesis with atomic precision. The thickness and structure of the atomic layers can be adjusted extremely precisely. There exists a number of applications for the thin films of which the most commercially important ones are in semiconductor industry for example in manufacturing gate-oxides for transistors. Computational modelling and research has risen up next to theoretical and empirical research in the natural sciences. In chemistry systems can be modelled ab initio, from first principles with out the use of any empirical data of the system, using quantum mechanics. Computational research can be used not only to verify or falsify existing models but also to study new for example new reaction mechanisms and to produce quantitative data. Trimethylaluminum--water-process is perhaps the most studied ALD-process. The process is used to grow aluminumoxide thin films. Theoretical research of the system has been quite scarce. Part of the previous research has focused on initial steps on the silicon dioxide surface and other on the follow-up reaction on the newly formed aluminumoxide surface. The prior studies of the reactions on the alumina surface have based on cluster models or inaccurate surface models considering the process conditions. In this work the previous studies have been repeated and new reaction mechanisms on a more realistic surface model are presented. en
dc.format.extent 83
dc.format.mimetype application/pdf en
dc.language.iso fi en
dc.title Laskennallinen tutkimus TMA/H2O ALD-prosessista fi
dc.title A density functional study of the TMA/H2O ALD-process en
dc.type G2 Pro gradu, diplomityö en
dc.contributor.school Kemian tekniikan korkeakoulu fi
dc.subject.keyword ALD fi
dc.subject.keyword DFT fi
dc.subject.keyword TMA fi
dc.subject.keyword kvanttikemia fi
dc.subject.keyword ALD en
dc.subject.keyword DFT en
dc.subject.keyword TMA en
dc.subject.keyword quantum chemistry en
dc.identifier.urn URN:NBN:fi:aalto-201403061538
dc.programme.major Kemia fi
dc.programme.mcode KE3001 fi
dc.type.ontasot Master's thesis en
dc.type.ontasot Diplomityö fi
dc.contributor.supervisor Laasonen, Kari
dc.programme KEM - Kemian tekniikan koulutusohjelma fi
dc.location PK fi
local.aalto.openaccess yes
local.aalto.digifolder Aalto_06522
dc.rights.accesslevel openAccess
local.aalto.idinssi 48752
dc.type.publication masterThesis
dc.type.okm G2 Pro gradu, diplomityö


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search archive


Advanced Search

article-iconSubmit a publication

Browse