Browsing by Author "Salomaa, Martti"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 16 of 16
  • Analysis and Characterisation of Diffractive Microstructures
    (1998) Kallioniemi, Ilkka
     Helsinki University of Technology | Licentiate thesis
  • Characterization of Power Tolerance in Surface-Acoustic-Wave Impedance-Element Filters
    (1995) Laine, Juha-Pekka
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
  • Conoscopic Interferometry of Crystals
    (1996) Äyräs, Pekka
     Helsinki University of Technology | Licentiate thesis
  • Digital X-ray Imaging with Si and CdZnTe Pixel Detectors
    (1999) Schulman, Tom
     Helsinki University of Technology | Licentiate thesis
  • Exclusive production of Higgs bosons at LHC-collider: Higgs mass measurement via leading proton detection
    (2003) Mäki, Tuula
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
  • Fabrication of Air Bridges for HTS Bolometer Applications
    (2002) Meltaus, Johanna
     Helsinki University of Technology | Licentiate thesis
  • Hiilinanoputkeen perustuvan elektronin transistorin valmistaminen elektronisuihkulitografiaa käyttäen
    (2000) Routama, Paula
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
    Yhden elektronin transistorissa on nanometrien suuruusluokkaa oleva johtavasta materiaalista valmistettu saareke kahden metallijohtimen välissä. Johdinten välille laitetaan jännite, jolloin elektronit pyrkivät tunneloitumaan yhdestä johtimesta saarekkeen kautta toiseen. Koska tunneliliitosten kapasitanssit ovat pieniä jo yksi elektroni aiheuttaa merkittävän varausenergian kasvun saarekkeella. Hiilinanoputket ovat grafiittilevyistä rakentuneita putkimaisia molekyylejä. Ne ovat tyypillisesti muutaman mikrometrin pituisia ja noin 5-30 nm paksuja. Nanoputkien rakenne on kestävä. Niiden sähkönjohtavuus riippuu niiden rakenteesta, joka on joko samanlainen kuin metalleilla tai puolijohteilla. Työssä pyrittiin valmistamaan yhden elektronin transistori hiilinanoputkea ja elektronisuihkulitografiaa käyttäen. Transistoriin sopiva hiilinanoputki paikannettiin ja siirrettiin oikeaan asentoon atomivoimamikroskoopilla. Nanoputken päälle, sen symmetria-akselia vastaan kohtisuoraan, valmistettiin elektronisuihkulitografialla kapea kultajohdin. Johtimen paksuuden avulla johteen resistanssi valittiin sopivaksi. Tavoitteena oli, että puolijohtavan hiilinanoputken päälle muodostuu yhden elektronin transistorin saareke, joka kytkeytyy tunneliliitoksilla nanoputken molemmilla puolilla oleviin kultajohtimiin. Valmistetuista näytteistä kaksi toimi. Toisessa näytteessä kultajohtimen paksuus oli juuri niin suuri, että näyte johti. Kulta ei muodostanut yhtenäistä kerrosta nanoputken päälle. Virta kulki useamman kuin yhden saarekkeen läpi. Toisessa näytteessä kultajohtimen paksuus oli lähes yhtä suuri kuin hiilinanoputken halkaisija. Nanoputki oli sähkönjohtavuudeltaan metallinen. Virta kulki nanoputken ja kultasaarekkeen läpi peräkkäin. Käytetyssä yhden elektronin transistorin valmistusmenetelmässä kultasaarekkeen saaminen yhtenäiseksi hiilananoputken päälle on ongelma. Lisäksi nanoputken tulee olla sähkönjohtavuudeltaan puolijohtava. Metallisten ja puolijohtavien hiilinanoputkien erottaminen ennen transistorin valmistamista on kuitenkin vaikeaa.
  • Multiple-Beam Interferometry and Phase Measurement of Helium Crystals
    (1999) Härme, Juho
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
    Suprajuoksevasta heliumista voidaan erittäin matalissa lämpötiloissa kasvattaa lähes täydellisiä kiteitä. Helium-kiteet sallivat rajapinnoille ominaisten ilmiöiden tutkimuksen, joka ei ole mahdollista tavallisissa kiteissä pitkien relaksaatioaikojen vuoksi. Tässä työssä esitetään Fabry-Perot -monisädeinterferometri, joka on rakennettu [3]He-kiteiden optisiin tutkimuksiin alle milli-Kelvinin lämpötiloissa. Monisädeinterferenssi sallii kiteiden tarkat morfologiset, mittaukset mahdollisimman yksinkertaisessa mittausgeometriassa. Kun tämä yhdistetään vaihesiirtotekniikoihin, voidaan suorittaa tarkkoja vaihemittauksia ja rajapinnan dynamiikkaa analysoida luotettavasti. Työn ensimmäisessä osassa tutkitaan monisädeinterferenssin soveltuvuutta helium-kiteiden kuvantamiseen. Tämän jälkeen kehitetään vaiheanalyysin työkaluja, jotka mahdollistavat [3]He-kiteiden kolmiulotteisen muodon johtamisen mitatuista interferenssikuvioista. Lopuksi tarkastellaan huomioita koskien mittauslaitteiston ja vaiheanalyysin kehittämistä edelleen.
  • On the Andersson model for dilute magnetic alloys
    (1974) Salomaa, Martti
     Helsinki University of Technology | Licentiate thesis
  • Optical Properties of Multilayers
    (1999) Yliniemi, Sanna
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
    Työssä käsitellään puolijohteiden optista teoriaa. Kiteisen puolijohdemateriaalin absorptiospektriin oleellisesti vaikuttavia ilmiöitä, kuten elektroni- ja eksitoni- absorptiota sekä hilavärähtelyjä, kuvaillaan lyhyesti. Tämän jälkeen esitetään miten näytteen ulottuvuuksien rajoittaminen nanotasolle vaikuttaa materiaalin optisiin ominaisuuksiin. Erityisesti verrataan kiteisen ja amorfisen piin absorption eroja. Lisäksi selvitetään piipohjaisten nanorakenteiden optisia ominaisuuksia aikaisempiin kirjallisuudessa esiintyviin tutkimuksiin nojautuen. Amorfisesta piistä valmistettujen monikerrosrakenteiden absorptiota tutkittiin spektroskopisten läpäisy- ja heijastusmittausten avulla. Soveltamalla amorfiselle bulk-materiaalille johdettua ns. Tauc-Cody -mallia monikerrosrakenteisiin, tutkittiin kvanttirajoitusilmiön esiintymistä superhiloissa. Tuloksia verrattiin fotoluminesenssimittauksista saatuihin tietoihin. Lämmityksen vaikutusta superhila-materiaaliin selvitettiin fotoluminesenssi- ja Raman spektroskopian avulla. Työn tavoitteena oli tutkia, voidaanko amorfisesta piistä valmistettuja monikerrosrakenteita käyttää valoa emittoivina diodeina. Kiteisen piin epäsuorasta energia-aukosta johtuen piin emissiovoimakkuus on hyvin matala. Pienentämällä piinäytteen mittoja voidaan piin energiatasoja mahdollisesti muuttaa siten, että energia-aukosta tulee suora. Tällöin emissiovoimakkuus kasvaa huomattavasti, ja piistä valmistettujen nanorakenteiden soveltaminen opto-elektronisina komponentteina tulee mahdolliseksi.
  • Photon Reconstruction at the Compact Muon Solenoid Experiment
    (2001) Nysten, Jukka
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
  • Pinhole model for the Josephson pi state in 3He
    (2000) Viljas, Janne
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
  • Simulating the performance of semiconductor radiation detectors
    (2004) Kalliopuska, Juha
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
  • Superfluid density of 3He-B in aerogel using an inhomogeneous scattering model
    (1999) Hänninen, Risto
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
    Nestemäiseen [3]He:een on normaalisti hyvin vaikea lisätä pistemäisiä epäpuhtauksia, koska ne painuvat gravitaation vaikutuksesta nopeasti astian pohjalle. Lisäämällä heliumia hyvin huokoiseen aerogeeliin, jossa jopa 99.8% tilavuudesta voi olla tyhjää, saadaan sen moniin eri suuntiin suuntautuvat ohuet säikeet toimimaan epäpuhtauksien tavoin. Aerogeeli aiheuttaa sen, että [3]He:n transitiolämpötila supratilaan laskee. Samoin supratilan vahvuutta kuvaava paripotentiaali sekä supranesteen tiheys pienenevät verrattuna puhtaan heliumin vastaaviin arvoihin. Supranesteen tiheys ilmoittaa kuinka paljon heliumista on suprajuoksevassa tilassa. Yksinkertaisin malli, jolla epäpuhtauksia voidaan kuvata, on homogeenisen sironnan malli, jossa epäpuhtauksien ajatellaan jakautuneen tasaisesti heliumiin. Tällä mallilla on menestyksellisesti selitetty epäpuhtauksien vaikutuksia suprajohteisiin, mutta kun mallia on sovellettu epäpuhtaalle heliumille, saadaan kokeiden kanssa ristiriitaisia tuloksia. Isotrooppinen epähomogeenisen sironnan malli ottaa huomioon sen, että epäpuhtauden määrä saattaa vaihdella näytteen eri osissa. Tätä mallia on jo käytetty [3]He B-faasin kriittisen lämpötilan ja paripotentiaalin laskemiseen. Tässä työssä mallia käytetään supranesteen tiheyden laskemiseen ja tuloksia verrataan useissa yliopistoissa mitattuihin arvoihin. Laskut suoritetaan käyttäen kvasiklassista teoriaa ja olettamalla, että heliumkvasihiukkasten sironta epäpuhtauksista on isotrooppista, ei-magneettista s-aaltosirontaa. Vaikka epähomogeenisen sironnan mallissa on joitakin puutteita, se selittää melko hyvin supranesteen tiheyden [3]He-B:ssa. Epäpuhtausprofiili on valittava siten, että näytteeseen muodostuu yhtenäisiä virtauskanavia, joita pitkin helium voi helposti kulkea läpi koko astian. Profiili kuvaa hyvin reaalimaailman aerogeelia, jossa on monia toisiinsa kytkeytyneitä tyhjiä alueita.
  • Törmäysilmiöiden vaikutus semiklassiseen laserteoriaan
    (1972) Salomaa, Martti
     Helsinki University of Technology | Master's thesis
  • Wavefronts and caustics in anisotropic elastic media
    (1998) Björknäs, Kristina
     Helsinki University of Technology | Master's thesis