Browsing by Author "Multasuo, Sami"
Now showing 1 - 2 of 2
Results Per Page
Sort Options
Item 2-ulotteisen kappaleen sähköstaattinen vaste(2009) Multasuo, Sami; Pitkonen, Mikko; Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta; Turunen, MarkusItem RF tehovahvistin TETRA tukiasemaan(2013-12-16) Multasuo, Sami; Thomasson, Kristian; Sähkötekniikan korkeakoulu; Räisänen, AnttiLineaarisia tehovahvistimia tarvitaan järjestelmissä, joissa käytetään suureen spektritehokkuuteen pyrkiviä modulointimenetelmiä. Yksi tällaisista järjestelmistä on TETRA-järjestelmä (TErrestrial Trunked RAdio). Lineaariset tehovahvistimet ovat usein huonoja hyötysuhteeltaan. Siksi erilaisia linearisointimenetelmiä käytetään tehovahvistimien linearisointiin, jotta niiden hyötysuhdetta saadaan parannettua. Erilaisia linearisointimenetelmiä on esitelty tämän työn alkupuolella. Tämän työn tarkoituksena on tutkia LDMOS ja GaN tyyppisiä transistoreja ja niiden sopivuutta TETRA tukiaseman tehovahvistimiksi. Piirisimulaattoria apuna käyttäen LDMOS- ja GaN-transistorien tyypilliset ominaisuudet selvitetään ja annettujen vaatimusten mukaiset tehovahvistinkytkennät muodostetaan. Simulaatioista saatua tietoa hyödyntäen TETRA vahvistimen prototyyppi valmistetaan. Prototyyppivahvistin mitataan ja saatuja mittatuloksia verrataan simultaatiotuloksiin sekä TETRA-standardin asettamiin vaatimuksiin. Mittaustulosten perusteella LDMOS tyyppinen transistori on tutkituista transistoreista paras vaihtoehto TETRA-tehovahvistimeksi. Selvitys kuitenkin osoittaa, että jos GaN-transistorien hinta laskee, voivat ne tarjota varteen otettavan vaihtoehdon LDMOS-transistoreille TETRA-tukiasemakäyttöön.